§2.1 半导体材料 固体材料:绝缘体、半导体和导体 半导体易受温度、光照、磁场及微量杂质原子影响 元素半导体:硅、锗 化合物半导体:二元、三元、四元化合物 GaAs 、InP、AlxGa1-xAs、 Gaxln1-xAsyP1-y §2.2 基本晶体结构 基本立方晶体单胞 金刚石结构 闪锌矿结构 金刚石结构和闪锌矿结构的区别 金刚石晶格结构 Si,Ge,C 等IV族元素,原子的最外层有四个价电子 金刚石结构和闪锌矿结构的区别 不同:前者由两种相同的原子组成,后者由两类不同的原子组成。 相同:都由两面心立方晶格,沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。 §2.3 基本晶体生长技术 硅晶体、95%(目前半导体材料) 原始材料:石英岩(高纯度硅砂 SiO2) 步骤:1 、SiC+SiO2—Si+SiO+CO 2 、Si+3HCl —SiHCl3+H2 3 、SiHCl3+H2 —Si+3HCl 多晶硅 4 、拉单晶 :柴可拉斯基法 §2.4 共价键 金刚石晶格结构:共价键 闪锌矿晶格结构:共价键 但存在微量离子键成分 本征激发或热激发: 电子与空穴 见Flash §2.5 能带 电子共有化运动 原子能级分裂成能带 绝缘体、半导体、导体的能带 电子共有化运动
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