半导体物理与器件第十二章1素材.pptVIP

半导体物理与器件 陈延湖 第十二章 双极晶体管 双极晶体管的工作原理(12.1 ) 基本结构及工作原理 晶体管的电极电流 各区域少子分布(12.2) 低频共基极电流增益（12.3） 非理想效应 (12.4 ) 基区调制效应 等效电路模型(12.5 ) Ebers-Moll 模型 混合π模型 频率上限（12.6 ） 大信号开关特性（12.7） 其他的双极晶体管结构(12.8) 12.1 双极晶体管的工作原理 双极晶体管（bipolar junction transistor） ：由三个掺杂不同的扩散区形成两个背对背pn结。三个区对应晶体管的三个电极：发射极、基极、集电极。因为器件中包括电子和空穴两种极性的载流子运动，故称为双极器件。 根据三个电极掺杂类型不同分为两类：npn型和pnp型。 双极晶体管器件的一般特征： 双极器件基本工作原理：放大模式或正向有源模式（forward active） 正向有源下的能带图及少子分布 晶体管三个电极电流简化表述 在正向有源工作状态，假定基区中少子电子为理想化的线性分布，即不存在载流子复合： 则发射极扩散到BC结界面的少子电子形成集电极电流iC： 发射极电流： BE结正偏，发射极注入到基区的电子流iE1（理想情况下iE1=iC) BE结正偏，基区注入发射区的空穴电流iE2，该电流对iC无贡献，但表达式与iC类似： 基极电流成分： BE结正偏，