半导体物理与器件第六章1素材.pptVIP

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  • 2016-12-04 发布于湖北
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半导体物理与器件 陈延湖 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 导带电子和价带空穴系统具有统一的费米能级EF 外界作用(如光照等)可以改变半导体的热平衡状态,使其处于非平衡状态,载流子浓度比平衡时多( 少)一部分,称为非平衡载流子或过剩载流子 非平衡过剩载流子的产生与复合的机理 非平衡过剩载流子的寿命 在存在漂移和扩散运动时,非平衡过剩载流子的时空分布特性分析——连续性方程 连续性方程的应用 本章主要内容 非平衡载过剩流子的产生、复合、寿命(6.1 6.5) 表面效应 表面复合(6.6) 准费米能级(6.4) 过剩载流子的性质-连续性方程(6.2) 连续性方程的深入-过剩载流子的双极输运方程 及应用(6.3) 6.1 载流子的产生与复合 产生率与导带中的空状态密度Nc以及价带中相应的电子占据状态密度成正比,对非简并半导体,因电子和空穴浓度与导带和价带的状态密度相比非常小,因而电子和空穴密度几乎不影响产生率 复合率与电子空穴的浓度成正比 对非热平衡半导体 从示波器上观测到的半导体上电压降的变化直接反映了附加电导率的变化,间接地检验了非平衡载流子的变化。 在t=0时无光照, ?Vr=0 ,即?p =?n=0 t0时,无光照,处于热平衡,此时 t0时,由于由于G R,故过剩载流子浓度由 零不断增加,由此将引起过剩载流子的复合 ttc时,光照撤除,过剩载流子产生率为零,此时, §5.1

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