半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级素材.pptVIP

本章小结 掺杂：通过在半导体材料中掺入杂质以改变半导体材料的载流子浓度的方法。 本征半导体：没有掺杂的半导体，其内部的电子和空穴成对出现，叫做本征半导体。 非正征半导体：半导体材料内部由于杂质或缺陷，使得电子或空穴任意一方增加，这样的半导体叫做掺杂半导体。 学完本章后，应具备如下的能力： 1．画出施主和受主杂质电离图 ，说明施主杂质和受主杂质的电离过程 2. 使用能带理论解释施主杂质和受主杂质的 作用 3. 解释杂质的补偿、杂质的双性行为； 4. 解释浅能级杂质和深能级杂质及其作用。 本章小结 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 晶体内杂质原子束缚的电子与类氢模型相比： m0?mn*, mp*; ?0 ? ?r?0 施主杂质的电离能： Si: Ge: 受主杂质的电离能 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 氢原子半径： 施主杂质半径： 基态下（n=1），氢原子的轨道半径： 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.5 杂质的补偿作用 当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型呢？ 在半导体中，若同时存在着施主和受主杂质，施受主杂质之间有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。一共有如下三种情况： NDNA NAND NA~ND ~ 1、当 NDNA 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子