材料分析测方法-13-2(AES).pptVIP

第一讲 X射线基本原理 §13-2 俄歇电子能谱原理及应用 二、AES基本原理 在X射线或高能电子的照射下，原子的内层电子获得足够的能量而电离，使原子处于不稳定的激发态。较外层电子向内层空位跃迁，原子多余的能量通过两种方式释放： ①发射X射线； ②发射第三个电子—俄歇电子 该过程称为俄歇效应。 俄歇效应（电子）的表示： KL1L1 KL1L2，3 LM1M1 KVV 俄歇电子的动能与入射粒子的类型和能量无关，只是发射原子的特征，可由俄歇跃迁前后原子系统的能量差来计算。 经验公式： 例：计算Ni的KL1L2俄歇电子能量 原子所处的化学环境的变化会改变其电子轨道，影响到原子势及内层电子的束缚能，从而改变俄歇跃迁的能量，引起俄歇谱峰的位移——称为化学位移。 例如，当元素形成化合物时将改变元素的俄歇电子能量。 化学位移可达几个eV。 俄歇电子的产额相当于俄歇跃迁的几率，与俄歇谱峰的强度相对应，是元素定量分析的依据。 在低原子序数元素中，俄歇过程占主导，而且变化不大。 对于高原子序数元素，X射线发射则成为优先过程。 定义： 具有确定能量Ec的电子能够通过而不损失能量的最大距离。 电子逃逸深度=电子非弹性散射的平均自由程。 逃逸深度λ取决于俄歇电子能量，近似与元素种类无关 能量为20~2500eV的俄歇电子，逃逸深度为2~10个单原子