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第4章 内 存 内存储器简称内存，又称作主存储器或简称主存，它是CPU可以直接访问的存储器，由于CPU要经常与内存进行数据交换，因此内存的容量和速度已经成为衡量微机系统性能的关键因素。 4.1 内存的分类 内存根据其存储信息的特点，主要分为两种类型，即只读存储器ROM（Read Only Memory）和随机存取存储器RAM（Random Access Memory）。 只读存储器强调其只读性，其中的信息只能读出而不能写入。对于微机而言，ROM是安装在主板上的一芯片，BIOS(Basic Input/Output System，基本输入输出系统)。 随机存取存储器是既可以读出信息也可以写入信息的存储器，它允许程序通过指令随机地读写其中的数据。 4.1.1 只读存储器ROM 存储在ROM中的信息理论上是永久的，既使在关机后，保存在其中的内容也不会丢失。只读存储器ROM通常又分为以下几种类型： 1.ROM 这是标准的ROM，通常指MROM，采用二次光刻掩膜工艺一次制成，只能由厂家在生产时制成（写入），其信息出厂后不可改变，信息被永久性融刻在ROM单元中。这种元件可靠性高、集成度高、批量生产成本低，但其灵活性差，单个生产费用大。 2.PROM PROM（Programmable ROM，可编程ROM），它允许一次性地写入其中的数据，一旦信息被写入PROM后，信息也将被永久性地融刻其中了，其他方面的性能特点与ROM相同。 3.EPROM EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦写可编程ROM），它可以通过特殊的装置（通常是紫外线照射）反复擦除，并重写其中的信息。其写入的内容可以长期保存，不会被破坏，安全性高。 4.EEPROM EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程ROM），有时可表示为E2PROM，可以使用电信号对其进行反复擦写。因此其中的信息升级方便，但容易被病毒和黑客攻击。 5.Flash Memory Flash Memory 即闪存存储器，简称闪存，是取代传统的EPROM和EEPROM的主要存储器。目前主板上的BIOS都使用这种存储器，它采用一种非挥发性存储技术，若不对其施加大电压进行擦除，可一直保持其状态。 Flash Memory的存取时间仅为30ns，并具有体积小、高密度、低成本和抗冲击的优点，是目前为数不多的同时具有大容量、高速度、非易失性、可在线擦写等特性的存储器。它除用于系统的BIOS外，在移动存储器、集线器、路由器等网络设备中也得到了广泛的应用。近一两年，出现了使用Flash Memory芯片的固态硬盘。 4.1.2 随机存取存储器RAM 随机存取存储器RAM主要用来存放系统中正在运行的程序、数据和中间结果，以及用于与外部设备交换的信息。它的存储单元内容根据需要可以读出，也可以写入。但它只能用于暂时存放信息，一旦关机或发生断电，其中的信息就会丢失。 现在的RAM一般为MOS型半导体电路，分为SRAM（Static RAM，静态RAM）和DRAM（Dynamic RAM，动态RAM）两种。 1.SRAM SRAM中的存储单元是依靠电路的开关特性记忆信息的，只要电源有电，它总能保持两个稳定的状态中的一个状态，直到电源断电为止。 SRAM由晶体管开关电路组成，而晶体管的转换时间一般小于10纳秒，所以它的读写速度很快，一般比DRAM快5～10倍。但SRAM电路设计复杂、价格昂贵，不易获得较高的集成度和较大的存储容量，所以SRAM一般用作高速缓冲存储器Cache。 2.DRAM DRAM就是通常所说的内存，它的存储单元是依靠电容上的电荷记忆信息的，电容中有电量则表示本单元存储的是“1”，反之则为“0”。由于电容非常小，又存在放电回路，电容上的电压一般只能保持20毫秒的时间。为了使DRAM中的信息不丢失，必须动态地每隔一段时间（应小于20毫秒）就必须为电容充电一次，也叫刷新一次。 由于DRAM需要不断地刷新，而刷新的同时又不能进行读写操作，所以它的读写速度受到限制。但由于DRAM电路简单，每个存储单元占用的芯片面积小，在相同的制造技术条件下可以获得较高的集成度和较大的存储容量，而且价格大大低于SRAM，因此微机硬件系统中的内存条就是采用若干个这种芯片做成的。 4.2 内存的性能指标 1.存储容量 存储容量是用来表明存储信息多少的能力，它是内存的一项重要指标，因为它将直接制约系统的整体性能。目前DDR2和DDR3内存条单条容量通常有512MB、1GB、2GB、4GB等几种，较高配置的微机内存容量已高达8GB～16GB。 2.存取周期 存储器从接收读写命令到完成读写操作所需要的时间称为存取周期，或称为读写