E磁性物理的基础-磁畴与技术磁化07答题.ppt

磁畴与技术磁化 一般铁磁体在弱场范围内的磁化过程主要是畴壁的位移过程。即接近于外磁场方向的磁畴长大，远离外磁场方向的磁畴缩小。理想完美的铁磁晶体，它内部的磁畴结构只由其外形的退磁场作用所决定，在外磁场作用下，只要其内部有效磁场不为零，磁畴壁将被驱动，直到畴结构改组到有效场等于零时才稳定下耒，因此这种理想晶体的起始磁化率应为无限大。 右图表示一个立方晶系K10的单晶磁化过程，易轴是[100]，磁畴有1800和900两类。当磁场加在[100]方向，畴壁位移结束时，Is在[100]方向；当磁场加在[110]方向，畴壁位移结束时，磁畴仍然存在，有两类磁畴，一类Is在[100]方向，另一类Is在[010]方向。进一步磁化过程即是磁畴内磁化强度的转动过程。 2、畴壁位移过程： H // [100] H // [110] H 实际的铁磁晶体内总是存在着晶格缺陷、杂貭和某种形式分布的内应力。结构的不均匀产生对畴壁位移的阻力，使起始磁化率降低为有限数值，而且使畴壁位移过程有可逆和不可逆的区别。 在畴壁位移过程中，铁磁晶体的总自由能(包括外磁场能)将不断发生变化。主要是当畴壁在不同位置时畴壁能发生变化，磁畴内应力能的变化，以及内部杂貭引起杂散磁场能的变化等。 如图所示，对于1800畴壁位移，在位移方向铁磁晶体内自由能F(x)的变化曲线。未加磁场