第七章半導体存储器习题.doc

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第七章半導体存储器习题

第七章 半导体存储器习题 [本次习题要求6月4日交] 7.1填空题: 1.半导体存储器从读、写的功能上可分为ROM和( )两大类。 2.工作中既可以读出信息,又可写入信息的存储器称为( )。 3.根据存储单元电路结构和工作原理的不同,将RAM分为静态RAM和( )RAM两类。 4.一个ROM共有10根字线(地址线),8根位线(数据线),则其存储容量为( )。 A.10×28; B.102×8; C.10×82; D.210×8。 5.容量为8K×8位的RAM芯片,其地址线和数据线各为( )。 A.8和8根; B.10和8根; C.13和8根; D.8和13根。 6.要扩展成32K×16位的ROM,需要( )片32K×8位的ROM。 7.为了构成4096×8位的RAM,需要( )片1024×2位的RAM。 8.关于半导体存储器的描述,下列哪种说法是错误的是( )。 A.RAM读写方便,但一旦掉电,所存储的内容就会全部丢失。 B.ROM掉电以后数据不会丢失。 C.RAM可分为静态RAM和动态RAM。 D.动态RAM不必定时刷新。 9.二极管ROM的电路结构如图所示,当地址为A1A0=10时,该字单元的内容d3d2d1d0为( )。 10.ROM阵列逻辑图如图所示,当地址为A1A0=10时,该字单元的内容D3D2D1D0为( )。 A.1l10; B.0111; C.1010; D.0100。 7.2试用2片1024×4位的RAM(2114)接成1024×8位的存储器。 7.3试用2片1024×4位的RAM(2114)接成2048×4位的存储器。 7.4用4×6位的ROM设计一个六段显示译码器。六段显示器如图所示(图中e是水平线,f是垂直线)。它可以显示东南西北四个方向之一,实心线表示亮,虚心线表示不亮。 显示东南西北四个方向之一由ROM的两位地址输入码A1和A0控制,控制要求如下表所示。即六段显示译码器的输入为A1和A0,并使输出a~f中适当的段亮。设输出逻辑1表示亮,逻辑0表示不亮。 A1 A0 显示 0 0 东 0 1 南 1 0 西 1 1 北 要求列出ROM的数据表,并画出ROM存储矩阵点阵图。 7.5试用8×2位容量的ROM设计一个能实现两个一位二进制数全加的逻辑电路。输入为被加数Ai、加数Bi及来自低位的进位Ci-1;输出为和Si及向高位的进位Ci。要求:(1)列出真值表;(2)直接在下图中画出用ROM点阵图实现全加的电路。 7.6由一片256×8位的EPROM构成的数码转换器,将8位二进制原码转换成等值的补码,最高位为符号位。问:当地址输入A7……A1A0分别为0000 0000、0000 0001、1000 0001、1111 1111时,EPROM中对应地址中的数据D7……D1D0各为何值?将你的答案填写地下表中。 A7……A1A0 D7……D1D0 0000 0000 0000 0001 1000 0001 1111 1111 蚅肂

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