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2 电力电子器件概述 2.1 电力电子器件的特征和分类 2.2 电力二极管 2.3 晶闸管 2.4 功率晶体管 常用的典型全控型器件 2.4.1 电力晶体管 2.4.2 电力场效应晶体管 2.4.3 绝缘栅双极晶体管 2.5 器件的应用问题 本章总结 开关速度快，工作频率高。（开关时间：数十ns～数百ns） 电流容量小，耐压低（1000V以下） 最大栅源电压20V。 器件说明书 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT） GTR和MOSFET两种器件取长补短结合而成的复合器件，同时具备这两种器件的优点。 1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 与MOSFETL类似，IGBT是电压控制型器件，门极输入阻抗高，所需驱动功率小。 与GTR类似，IGBT具有较小的通态压降。 与GTO类似，IGBT具有阻断反向电压的能力。 开关速度快，工作频率高。（开关时间：us级） 功率等级可达到：2-3KV，1-2KA G C E (a) 1.电力电子开关器件的性能比较 新器件仍在不断研发 器件发展趋势是更大的功率、更快的速度和更小的损耗 2. 电力电子开关器件的应用准则 通态电压和通态电阻表明器件的导通损耗。 开关时间表明了器件的开关损耗及允许的最高工作频