323UV光曝光技术724.ppt

§2-3UV光曝光技术 1.概述 1.1提高分辨力途径 R=K1λ/NA 减小波长，增大数值孔径和因子K1，以提高分辨力 1.2波段 I线 365nm 深紫外 DUV 248nm 0.25-0.18μm KrF2 193nm 0.18-0.13μm ArF 真空紫外VUV 157nm 0.13-1.0 μm F2 极紫外 EUV 110-140nm 实用0.2μm，向1.0－0.7nm迈进， 激光等离子体轰击靶 1.3远UV曝光光源实例 采用反射镜系统 1.4影响DUV成像质量的因素 （a）合适的抗蚀剂： 采用X射线和电子束曝光的抗蚀剂，DUV能量与前者二次激发电子能量相同； （b）曝光机输出光谱与抗蚀剂吸收光谱匹配 程度;染色效应:吸收随曝光时间增加而增加的现象. 曝光机输出光谱与抗蚀剂吸收光谱匹配程度 （c）掩模质量：掩模基底选用石英，其DUV是透过率高； 掩模材料选用铬或铝。 2.UV曝光技术发展简介 2.1 365nm i线曝光 技术:80年代开发，90年代成熟（中期为盛），取代g线（436nm） 步进机，占市90%，现还占40% NA—0.65 CD—0.5 μm → 0.25μm 2.2 248nm DVU曝光技术：石英透镜，90年代初开发，进入市场一般CD为0.25—0.18 μm； KrF准分子激光器源，20w，重复频率2.5KHZ,长寿命100亿次脉冲。 光刻机三种形式： 折射式5：1缩小分步曝光：NA：0.4 → 0.6 → 0.63，视场22×27.4mm,CD 0.22 μm 生产效率90/h（200mm圆片） 折射式4：1缩小步进扫描投影曝光：0.7，26 × 34mm，0.13 μm ，125/h(ASML,Canon和Nikon等公司200mm) 反射式4：1缩小步进扫描投影曝光：0.68, 26 × 34mm，0.15 μm ， φ300mmSi片，SVGK,Canon和Nikon公司。 2.3 193nm DVU曝光技术： KrF准分子激光器，一般CD为0.18-0.15 μm；20W，2KHZ,稳定性2%，寿命20亿次（10mJ/cm2）; 现在NA为0.68~0.75，CD 130nm以下，20 × 34mm,300mm圆片。 现在技术成熟ASML,Canon和Nikon等公司。 2.4 157nmVUV曝光技术： 因真空紫外被O2、H2O和碳氢化物吸收，所以在惰性气体或真空环境下工作，特征尺寸100nm以下； 由步进扫描缩小曝光系统完成，折、反光学系统，并向窄视场折射和全视场反射结合过渡； 关键技术：F2准分子激光器、透镜材料CaF2、高灵敏度的抗腐剂和高透光率的掩模材料。 Lambda公司（近期）F2准分子激光器源:10-20W、重复频率1000HZ、带宽在pm级范围、分辨率0.11-0.17 μm，功率稳定性1%，2004年该源已商品化；大于100mm的CaF2立方晶体现已生产出来，晶锭300-375mm已展示； 2.5 110-140nm EUV曝光技术 激光等离子体（惰性气体+卤素气体）轰击靶产生EUV（固体靶、循环低温氙喷射靶和液滴靶），采用4个反射式面组成光学系统，镜面是高反射率和低反射率相间的多层反射膜采用电子束和溅射法制作；掩模衬底是高折射率多层膜，吸收体材料是铬或铝。掩模图形由电子束或激光图形发生器产生。分辨率0.2 μm，向70-50-30nm迈进。 光刻技术的极限 80十年代CD极限~0.5 μm ，随着光源、透镜、抗蚀剂、分步扫描技术和提高分辨力技术的发展，目前公认CD 0.10 μm以下。 2.6 提高分辨力技术： 离轴照明（OAI）技术：提高分辨力同时提高对比度和改善焦深，但有局限性（减少光能，边缘图形变形等） 光学邻近效应校正（OPC）方法：掩模图形产生畸变→曝光图形边界满足要求。 相移掩模（PSM）技术：1982年Levenson提出，1990年得到快速发展。PSM采用相消干涉以改善分辨力和焦深。 2.7相移掩模（Phase Shifting Mask—PSM） 在传统掩模上透光区相间增加一层相移层（Shifter Layer）,通过相移层的光束相移180°与没有通过相移层的光束相互干涉，从而提高了光学系统投影在硅晶片上的图案分辨力。 见下页图 （a）传统式 （b）相移式 * * 晶片