《数字电子技术》康华光习题解答第八章半导体存储器和可编程逻辑器件..docVIP

第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件 一、填空题 1、一个10位地址码、8位输出的ROM，其存储容量为 或 。 2、将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM。该ROM有 根地址线，有 根数据读出线。 二、综合题 1、试写出图6-1所示阵列图的逻辑函数表达式和真值表，并说明其功能。 2、试用256×4位的RAM扩展成1024×8位存储器。 3、下列RAM各有多少条地址线？ ⑴ 512×2位 ⑵ 1K×8位 ⑶ 2K×1位 ⑷ 16K×1位 ⑸ 256×4位 ⑹ 64K×1位 4、写出由ROM所实现的逻辑函数的表达式。 (8分) 5、四片16×4RAM和逻辑门构成的电路如图6-7所示。试回答： ⑴单片RAM的存储容量，扩展后的RAM总容量是多少？ ⑵图6-7所示电路的扩展属位扩展，字扩展，还是位、字都有的扩展？ ⑶当地址码，RAM0~RAM3，哪几片被选中？ 6.用ROM设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数。画出存储矩阵的点阵图。 7、画出实现下面双输出逻辑函数的PLD表示。 三、简答题 1、可编程逻辑器件是如何进行分类的？ 2、GAL16V8的OLMC中4个数据选择器各有多少功能？ 3、ROM和RAM有什么相同和不同之处？ROM写入信息有几种方式？ 4、为什么用ROM可以实现逻辑函数式？ 第八章 习题答案 填空题 1、213 8K 2、11 16 综合题 1、解：根据与阵列的输出为AB的最小项和阵列图中有实心点·为1，无·为0，可以写出 A B F0 F1 F2 F3 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 从上述逻辑表达式可以看出，图6-1所示阵列图实现了输入变量A、B的四种逻辑运算：与、或、异或和与非。列出真值表如表6-1所示。 2、解：当一片RAM不能满足存储容量需要时，需要将若干片RAM组合起来，构成满足存储容量要求的存储器。RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。 如果一片RAM的字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。字数满足要求，就是地址线满足要求。只要将若干片RAM并接起来，所有芯片的位线加起来作为扩展后的位线，便可以实现位扩展。 实现位扩展的原则是： ①多个单片RAM的I/O端并行输出，作为RAM的输出端—数据线或称位线。如两片四位RAM的I/O端并行输出，得八位RAM； ②多个单片RAM的端接到一起，作为RAM的片选端（多片RAM同时被选中）； ③多个单片RAM的地址端对应接到一起，作为RAM的地址输入端。 ④多个单片RA3M的端接到一起，作为RAM的读/写控制端（RAM的读写控制端只能有一个）； 在RAM的数据位的位数足够，而字数达不到要求时，需要进行字扩展。字数增加，地址线数就得相应增加。如256×8位RAM的地址线数为8条，而1024×8位RAM的地址线数为10条。 实现字扩展的原则是： ①多个单片RAM的I/O端并接，作为RAM的I/O端（不需位扩展）； ②多个单片RAM构成字扩展之后，每次访问只能选中一片，选中哪一片，由字扩展后多出的地址线决定。多出的地址线经输出低有效的译码器译码，接至各片RAM的端； ③多个单片RAM的地址端对应接到一起，作为RAM的低位地址输入端。 ④多个单片RAM的端接到一起，作为RAM的读/写控制端（RAM的读写控制端只能有一个）； 1024×8位存储器需256×4位的芯片数 两片256×4位的RAM并联实现位扩展，达到8位的要求。根据2n=字数，求得1024个字的地址线数n=10，256字的存储器只有8条地址线，多余的两条地址线A9A8需要接2-4译码器输入端，译码器的输出端对应接到2片256×4位RAM的端，连接方式如图6-3所示。 3、解： ⑴ 512×2位：512=29，故有9个地址输入端。 ⑵ 1K×8位：1K=1024=210，故有10个地址输入端。 ⑶ 2K×1位：2K=2048=211，故有11个地址输入端。 ⑷ 16K×1位：16K=214，故有14个地址输入端。 ⑸ 256×4位：256=28，故有8个地址输入端。 ⑹ 64K×1位：64K=216，故有16个地址输入端。 4、 5、解： ⑴ 单片RAM的容量是16×4=64个存储单元，扩展后的RAM总容量为25×8=256个存储单