第四章-1 ZnS中电子陷阱能级对光电子瞬态过程的影响.docVIP

4．1 ZnS电子陷阱能级对光电子瞬态过程的影响 任何实际应用的晶体中，都不可避免的存在着各种杂质原子和各种晶体缺陷，它们又常常是使晶体获得某种物理性能所必需的。由于杂质原子和晶体缺陷会破坏晶体完整的晶格周期性，凡是在晶格周期性遭到破坏的地方，就有可能产生新的定域能级，这些能级可以束缚电子或者空穴。晶体中的缺陷可以形成辐射复合中心（即发光中心）或者无辐射复合中心，如果材料灼烧过程中不加入杂质，在ZnS中自身激活的发光中心就是Zn2+空位；如果加入杂质，发光中心可能就是这些杂质离子。本节即通过改变制备工艺和杂质离子，改变材料中的电子陷阱能级的深度和密度，采用微波介电谱和热释光技术，研究ZnS中的定域能级及其深度和密度对光电子的影响机制。 4．1．1材料制备 样品1：将光谱纯10g ZnS原料掺入2g光谱纯的S和20g的SrCl作助熔剂，放入箱式炉中120℃烤干，将烤干的原料放入高纯氧化铝坩埚中，在1205℃ S保护气氛下高温灼烧两小时，取出冷却后，用去离子水清洗，去除助溶剂，烤干备用。 样品2：将光谱纯10g ZnS原料掺入2g光谱纯的S和2g的NaCl作助熔剂，其他过程同样品1。 样品3：在NH4Br气氛中950℃灼烧10g高纯的ZnS，时间为2小时，清洗备用。 样品4、5：取光谱纯的10gZnS原料，加入2g NaCl和2g S，掺入0.01％Eu（ZnS的质量比，Eu(NO3