第二章半导体中的杂质和缺陷2015-3-25试卷资料.pptVIP

半导体物理 第二章 半导体中的杂质和缺陷 理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。 实际半导体： 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 主要内容 §2-1 硅、锗晶体中的杂质能级 一、杂质存在的方式 1、杂质存在方式 (2) 替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近 深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。 点缺陷的表示 Kroger-Vink（1960年前后）提出了一套描写点缺陷的记号，并发展了应用质量作用定律等来处理晶格缺陷间关系的缺陷化学。以MO（氧化物）为例： 空位 （Vacancy） VM，VO 间隙原子（ Interstitial） Mi，Oi 错位原子 MO，OM 溶质原子（外来原子）LM，Li 自由电子