第二章p-n结试卷资料.ppt

2.6.2 应用:齐纳二极管 (Zener diode),用作参考电压 重掺杂,通过选择适当的掺杂浓度以实现 要求： 零温度系数，做电压基准 实现办法： 结合隧穿击穿和雪崩击穿机制 电压范围：5~6V 2.6.3 变阻器 V I 应用：非线性变阻器；电压限幅器 例一:GaAs p+n单边突变结，ND=8x1014 cm-3, 计算发生击穿时耗尽区宽度及击穿电压。若n区为20mm,计算此时击穿电压 2.6.7 p-i-n二极管 p i n 特点：宽本征区，耗尽层近似恒定； 低恒定电容，高击穿电压； 复合电流为主，电阻随正偏电流线性变化 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 寄生电阻的影响 （ parasitic resistance rS): The parasitic resistances are especially pronounced at the metal-semiconductor contacts and in the neutral regions of the P/N-type bodies. VD V0 Pn结静态I-V特性下的SPICE模型 非理想pn结的I-V特性 温度影响 耗尽区宽度w求解（利用泊松方程加边界条件） 例一：突变结 （结左右电荷密度分布均匀） 讨论 单边突变结 特点: