第3章硅平面工艺流程研究报告.ppt

（9）后工序加工 至此，前工序已完成。再经过中测、芯片切割、芯片粘 贴、引线键合、压模、筛选、测试，挑选出合格产品。以上 是最基本的单阱CMOS工艺流程。 在实际中，为了提高电路的某些性能，还需要增加其它 附加工艺步骤。 * * 一、双极型集成电路工艺流程 二、MOS工艺 三、CMOS工艺 四、Bi-CMOS工艺 第3章 硅平面工艺流程 双极集成电路工艺流程 双极型晶体管是最早发明的半导体器件，它在模拟、 功率电路中占了很重要的地位。但由于功耗大、尺寸不能 满足小型化的无论是在产量上，还是应用上都较有优势。 但对于高速、模拟、功率电路领域，双极型器件仍具有相 当优势。 1.剖面图与版图 右图是 一个标准的隐 埋层双极晶体管（SBC） 的结构示意图，是剖面图 和俯视图的对照。 2.工艺流程 （1）衬底制备 对于PN结隔离型双极集成电路来说，通常选择轻掺杂 的p型衬底，掺杂浓度约为 。 （2）生长埋层 为了降低集电极串联电阻、减小寄生管的影响需在外 延层与衬底之间制作型埋层。埋层的制备分为三步：首先 用热氧化法在衬底上生长一层氧化膜；接着进行第一次光 刻，刻蚀出埋层生长区；最后，用扩散或离子注入法 向埋层生长区内掺入施主杂质（第五主族元素，常用磷、砷、