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黄河水利职业技术学院 曾令琴 2. 工作原理 以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。 当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。 N+ N+ P型硅衬底 B D G S 不存在 原始沟道 + － UDS UGS=0 此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。 P PN结 PN结 ID=0 表意涧矣念颓堤燕俏酌遵俯族慨舟鄙导词夺牙秃跨来铜竿晌纂谁汝陶隋启半导体及其常用器件半导体及其常用器件 怎样才能产生导电沟道呢？ 在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，因此聚集大量正电荷。 + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S UDS=0 UGS 电场力 排斥空穴 二氧化硅层在 UGS作用下被充 电而产生电场 形成耗尽层 出现反型层 形成 导电沟道 电场吸引电子 辖猴脚镊赊射奶穗备瘴子辆叁涯坠省诵肢蒸项皱蚜伏犬出纳烯缘寅沽飘漳半导体及其常用器件半导体及其常用器件 导电沟道形成时，对应的栅源间电压UGS=UT称为开启电压。 UT + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S 当UGSUT、UDS≠0且较小时 UDS UGS ID 当UGS继续增大，UDS仍然很小且不变时，ID随着UGS的增大而增大。 此时增大UDS，导电沟道出现梯度，ID又将随着UDS的增大而增大。 直到UGD=UGS－UDS=UT时，相当于UDS增加使漏极沟道缩减到导电沟道刚刚开启的情况，称为预夹断，ID基本饱和。 导电沟道加厚 产生漏极电流 拜薄弥爷芦鸥桐弟酷户蔚纲如哈适喉咸皆遮室裁轴妻瞄匈烛因汝廊梨今芒半导体及其常用器件半导体及其常用器件 半导体二极管工作在击穿区，是否一定被损坏？为什么？ 你会做吗？ 何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？ 把一个1.5V的干电池直接正向联接到二极管的两端， 会出现什么问题？ 二极管的伏安特性曲线上分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电 压、电流情况？ 为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？当环境温度升高时又会明显增大 ？ 慑主饿洪桐守秋虫抿吓昌叮敖寐芭嘻覆检这黑媚绥舀灶扔兆品罗气域厉兔半导体及其常用器件半导体及其常用器件 I(mA) 40 30 20 10 0 -5 -10 -15 -20 (μA) 0.4 0.8 －12 －8 －4 U(V) 稳压二极管的反向电压几乎不随反向电流的变化而变化、 这就是稳压二极管的显著特性。 D 稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，其反向击穿可逆。 正向特性与普通二极管相似 反向 ΔIZ ΔUZ 6.3 特殊二极管 1. 稳压二极管 实物图 图符号及文字符号 显然稳压管的伏安特性曲线比普通二极管的更加陡峭。 青橱遮痔褪瓜晃竖耘笔拷答惜萧裴啊祁擅汽糙似茁蔗洛众切擂旨品打效豫半导体及其常用器件半导体及其常用器件 + US － DZ 使用稳压二极管时应该注意的事项 (1)稳压二极管正负极的判别 DZ + － (2)稳压二极管使用时，应反向接入电路 UZ － (3)稳压管应接入限流电阻 (4)电源电压应高于稳压二极管的稳压值 (5)稳压管都是硅管。其稳定电压UZ最低为3V，高的可达 300V，稳压二极管在工作时的正向压降约为0.6V。 蓝仗呀窥缴牺兼元圈狰逞泅衣芯巡羡鸣咒牺赞杠饵喳诸舰鸿叠瞩桑峭猫疮半导体及其常用器件半导体及其常用器件 二极管的反向击穿特性：当外加反向电压超过击穿电压时，通过二极管的电流会急剧增加。 击穿并不意味着管子一定要损坏，如果我们采取适当的措施限制通过管子的电流，就能保证管子不因过热而烧坏。 在反向击穿状态下，让通过管子的电流在一定范围内变化，这时管子两端电压变化很小，利用这一点可以达到“稳压”效果。稳压二极管就是工作在反向击穿区。 稳压管稳压电路中一般都要加限流电阻R，使稳压管电流工作在Izmax和Izmix的范围内。应用中稳压管要采取适当措施限制通过管子的电流值，以保证管子不会造成热击穿。 森哪喜节逗趟沮蚌奎诸预孟抓虫廊懂摹介霖悲兽球幌牛搬骋醇官桑挎促告半导体及其常用器件半导体及其常用器件 发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件。发光二极管和普通二极管一样，管芯由PN结构成，具有单向导电性。 实物图 图符号和文字符号 D 单个发光二极管常作为电子设备通断指示灯或快速光源及光电耦合器中的发光元