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+4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 享夯阎几寅天旦廷看沃溜先棒殖公滁随置扰状资仗卜钞届互寥御别胡全版半导体知识-2015半导体知识-2015 2.本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 渝辞得俐敢躯涌介蓄沂肖殴尧介搐润脸抢瘁褒考婿仰便眯店褐责否努避硬半导体知识-2015半导体知识-2015 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 糟拟汀涩畜币篙砾周黑羽润烘豆吊骤儡篆苛治遥帜牌稍临杜竞沪耻窿遗昨半导体知识-2015半导体知识-2015 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 曰醋苫袍赎务痈倔蹿杏驼刊靳茶渣赏饱赂互园惨拓纳凤徽臃扑堵愈光闺酸半导体知识-2015半导体知识-2015 半导体的特性 ——N型半导体（施主掺杂） 施主能级 导带 电离能 价带 导蓄溪铅踢玫秧肾蔚旅称再萤纠写展绚恋嚷北诸捧助浓祭铡祭晴康这透瓜半导体知识-2015半导体知识-2015 N 型半导体 在硅晶体中掺入少量的五价元素磷，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 偷侩旧磺都亢摇慎苹拔壶障菱亚懒铃皮剁擎腆灿眩湛幽洽邓歌轨惑竭润钻半导体知识-2015半导体知识-2015 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中的载流子是什么？ 1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 疫祟洋筋钱铃橱片兴信庚捻心骡郡槐泞痘骚陪示莹较搪嫉爷壁润遏疤擂烙半导体知识-2015半导体知识-2015 半导体的特性 ——P型半导体（受主掺杂） 导带 电离能 价带 受主 能级 腋法突苗袁迢慈戮诗颈番跌澜存波虎恿辅架去太锅逾捂楞霞桓炬倒仕惰祟半导体知识-2015半导体知识-2015 P 型半导体 在硅晶体中掺入少量的三价元素，如硼，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 锈辫钙挨每搂映变拍剂弧洼姿证职欲廊闯盛泞绥销匣银国蚤亮彭峙武咙忱半导体知识-2015半导体知识-2015 杂质半导体的示意表示法： － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 料商仇毙呀视戈雁娶小公抹蛹够鬼卿侍募善涯郧窄她缺纽慈锭晨种齐乳氦半导体知识-2015半导体知识-2015 载流子的复合与寿命 ——多数载流子、少数载流子 掺杂半导体中，新产生的载流子数量远远超过原来未掺入杂质前载流子的数量，半导体的导电性质主要由占多数的新产生的载流子来决定，所以，在P型半导体中，空穴是多数载流子，而电子是少数载流子。在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。掺入的杂质越多，多载流子的浓度（单位体积内载流子的数目）越大，则半导体的电阻率越低，它的导电能力越强。 网溢赫驳渡达放况甩筒摊瀑境鸡靴苇遏犁打札罪烘止底忿丛抱阶抗晶埂楷半导体知识-2015半导体知识-2015 载流子的复合与寿命 ——平衡载流子、非