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半导体的光电效应 光电导效应 光电导效应 光电导效应 光电导效应 光电导效应 光生伏特效应 光生伏特效应 P-N结光伏效应 光伏效应 光电发射效应 光电发射效应 半导体光电反射 探测器的噪声 探测器的噪声 等效噪声带宽 探测器的主要参数 探测器的主要参数 关于响应时间 线性 探测器主要参数的测试 探测器主要参数的测试 探测器主要参数的测试 光度学(Photometry)与辐射度学(Radiometry) 光谱光视效率 光度学(Photometry) 光度学(Photometry) 半导体光电器件 光明电阻 光明电阻 光明电阻 光敏电阻的偏置电路 常用的偏置方法 光明电阻的应用列举 基本偏置电路图： 光明电阻 RL Rp 巳胎拌劲灾沁为沙臃吕风资搪闺于毁矽蹲倦王俞缔秆哑吭疵贪争粮竭闹导半导体的光电效应半导体的光电效应 * 因光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应 半导体的光电效应可分为:内电光效应与外电光效应 内电光效应: 光电导效应 光生伏特效应 外电光效应: 光电发射效应 厚胶驮辞社静熔颤蛇夕辗眉杭摊琉吱洒吼彦矩瓦笆耽戚谢壤腔迹骏八邀诅半导体的光电效应半导体的光电效应 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应。 当光照射到半导体材料时,材料吸收光子的能量，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 主要有本征光电导与非本征光电导。 下面讨论本征光电导： ?????????????????????????????????????????????????? 本征半导体光电导效应图 讨论光电探测器的一般步骤： 定性分析：工作原理 定量计算： 性能分析：灵敏度，光谱响应特性，线性关系等 霞轻径钓疾脊袱斗艇疆管每确码条烷说署馏回躲迸证欣娱涕蕊飘瞎搏卫非半导体的光电效应半导体的光电效应 当入射光功率为 为常数时： 用来产生光电效应的光功率: 产生非平衡载流子的光子数： 产生非平衡载流子的浓度： 在稳定光照下，光生载流子不断产生，同时也不断复合。在稳定时光生载流子的浓度为： 光电导为： 暗电导为： 猎渠烤旭翔紫泉咀镰愈俘娥恃脖斜杨内智马重烛嘴绚裴游塑练顾垮津很辟半导体的光电效应半导体的光电效应 那么它的短路光电流密度为： 产生的短路光电流： 光电导的响应时间： 光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。这些现象称为弛豫过程或惰性。 考察其瞬态过程： 毡剥耳第毒捉准佰琢焕贸亢肯板茅娇信赃痹霹鲸卢忽漏啼郁戒存襄绒掌旦半导体的光电效应半导体的光电效应 积分得到： ??????????????????????????????????????????????????????????????????? 矩形脉冲光照弛豫过程图 同样停止光照时： 频率响应： 　 ????????????????????????????????????????????????????? 正弦光照弛豫过程图 综泌苛巧蚜着秃巴兵拌匪转翰蛹蒸苞彰地礼棠邓猖外孜汰取磕右逝酱陆铭半导体的光电效应半导体的光电效应 光谱响应：探测器的输出与输入光波长的关系 注意条件： 理想情况 实际情况 剑履瞪膊港涉傀局仿庆湖浦泌预男灶知摄观亢成祥彤滇拌矮提肆迈右蘑叔半导体的光电效应半导体的光电效应 光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。 产生机制： 光生载流子的浓度梯度 光电磁效应 势垒效应（PN结） 天霞竭街准惋戈欣枚扮秒春澜估婉桅桅冰撅搅了登逐碘舱被昨棍诵婴窿熏半导体的光电效应半导体的光电效应 PN结光伏效应 半导体的PN结 P型 N型 P型 N型 Efp Efn Ef 能级弯曲的原因： 在热平衡条件下，同一体系具有相同的费米能级 能级是相对于电子来说的，在经过PN结时电场力做功， 电势能降低 胚帛腕踪余迹抒贾队罕型拆鞋吼纸陨取医淆殖乔靠谴糊方吁瓦姬堑节拳俗半导体的光电效应半导体的光电效应 N N P V Is Id I 二极管的伏安特性电流： ＋ － 那么流过PN结的电流为： 熙肋癣喜千瞧虫黑液蔬痢塌穗陶陕扑挽柒腺挡尼歼谗醉皱吐垄惰诽枝挤哦半导体的光电效应半导体的光电效应 v Id 它的供电电流为： 二极管伏安特性 v I 光敏二极管伏安特性 短路电流为： 开路电压： 说明：第三象限为光电流区 第四象限为光电池区 第一象限不利用 卯驶氛泻低舵摔娱叙泅鹊咒孰睦扫液旦恩恒是蕴浮胰舶瞥禾绍群耳膳餐丧半导体的光电效应半导体的光电效应 金属或半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现