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电参量检测系统的工作原理 电参量检测系统中的传感器属于能量控制型传感器,传感器需要外加电源才能工作。 主要有电阻式、电感式和电容式等。 工作原理:先由转换元件将被测量转换为电参量(电阻、电感、电容等),然后由转换电路进一步转换为电压或电流信号后输出。 3.1 电阻式传感器 电阻式传感器是通过转换元件将被测量转变为电阻值,通过转换电路将电阻值转换为电信号,通过测量电信号达到测量非电量的目的。 主要有电位器式、电阻应变式、压阻式、热电阻式、磁电式、光敏电阻式等 可以用来测量位移、形变、压力、加速度、温度等 3.1.1电位器式传感器 把机械位移转换成与其成一定函数关系的电阻 可用于测量线位移、角位移和液位等 结构:电位器由电阻器和电刷两部分组成 原理:当电刷触电C在电阻器RAB上移动时,AC间的阻值会发生变化。且RAC与触点的直线位移或角位移成一定的函数关系。 特点: 结构简单、受环境因素(温湿度、电磁干扰等)影响小、稳定性好、输出信号大 易于达到较高的线性度和实现各种非线性特性 特性曲线呈阶梯状 阶梯误差、分辨率低、耐磨性差 3.1.2 应变式传感器 由弹性元件、电阻应变片和测量电路构成 当弹性元件感受到被测量(力)时,其表面产生形变,粘贴在弹性元件表面的电阻应变片的阻值随之发生变化,通过电桥进一步将电阻的变化转换为电压或电流的变化 通过检测电压或电流的变化实现测量的目的 应变电阻效应:导体或半导体在受到外界力(拉力或压力)作用时,产生机械形变,机械形变会导致阻值的变化,这种因形变使阻值发生变化的现象称为“应变电阻效应” 应变片的基本结构 金属应变片主要有丝式、箔式等 箔式电阻应变片 采用照相制版或光刻腐蚀技术,将电阻箔材(1-10um)制在绝缘基地上制成,易于批量制造 传递应变性能好、横向效应小、散热性能好、允许通过电流大 温度误差和补偿 产生温度误差的因素:电阻温度系数,材料热膨胀 温度补偿可分为自补偿和电桥补偿法 电桥补偿法 R1和RB为特性一致的应变片,其中, R1为工作应变片,B为补偿应变片,他们处于同一温度场中,且仅R1承受应变。 电阻应变片的测量 电桥平衡条件 电阻应变片式传感器的应用 结构形式:柱式、悬臂梁式等 柱(筒)式力传感器 布片:围绕柱(筒)轴线均匀分布,纵向横向各贴4片应变片 组桥:纵向对称的R1和R3串联,R2和R4串联,横向的R5和R7串联,R6和R8串联,并置于电桥相对桥臂上 纵向对称两两串接为了减小偏心载荷和弯矩的影响,横向贴片作温度补偿用 悬臂梁式力传感器 R1和R2贴在悬臂梁的上表面,R3和R4贴在悬臂梁的下表面 接成全桥时, R1和R2接在对边, R3和R4接在对边 3.1.3 压阻式传感器 金属电阻应变片性能稳定、测量精度高,但灵敏度系数低、阻值小 半导体应变片灵敏度系数是金属应变片的几十倍,在微变测量中应用广泛 半导体应变片的工作原理是基于半导体的压阻效应 压阻效应:半导体材料受到应力作用时,其电阻率会发生变化,这种现象称为“压阻效应” 半导体应变片的特点: 优点:灵敏度系数大,横向效应和机械滞后小 缺点:非线性大,温度稳定性差 测量电路与温度补偿 4片应变片组成全桥 其中,一对对角电阻受拉,另一对对角电阻受压,电桥输出电压最大 电桥供电采用恒压源或恒流源 对于恒压源 设4个桥臂由于应变引起的电阻变化为△R,由于温度变化引起的电阻变化为△Rt, 半导体电阻式传感器的应用 压阻式气体压力传感器 核心是一块圆形硅膜片,膜片四周用一个圆环(硅杯)固定 在膜片上利用集成电路工艺制作4个阻值相等的电阻,用低阻导线连接成平衡电桥 膜片两边有两个压力腔,一个是与被测系统相连的高压腔,一个是与大气相通的低压腔 当膜片两边存在压力差时,膜片产生形变,膜片上各点产生应力 4个电阻的配置位置按膜片上的径向应力和切向应力的分布情况: 当r=0.635r0时,径向应力为零;当r0.635r0时,径向应力为拉力;当r0.635r0时,径向应力为压力 设计时,根据应力分布,合理安排电阻位置,组成差动电桥,可输出较高电压 沿径向对称于0.635r0两侧制作4个电阻,其中、R1、R4接于电桥对角线上,R2、R3接于电桥另一对角线上 当膜片两边存在压力差时,膜片上各点产生应力,电阻在应力作用下阻值发生变化,电桥失衡,产生电压输出 输出的电压与膜片两边的压力差成正比 3.1.4 热电阻传感器 热电阻传感器是利用导体或半导体的电阻随温度变化的特性而制成的温度敏感元件 测温范围主要在中低温区(-200~630℃) 主要金属热电阻和半导体热敏电阻两大类 铂热电阻 优点:物理、化学性能及其稳定,测温精度高 缺点:温度系数小,不能在还原性介质中使用 热电特性 铂热电阻使用范围-200~630℃ 铜热电阻 在测量精度要求
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