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隧穿器件 隧穿元件 隧穿二极管 谐振隧穿二极管 三端谐振隧穿器件 谐振隧穿二极管的工艺 存储器中的应用 动态逻辑门 * * 隧穿概率随着粒子能量的增加而增加。由于物质波在界面处存在反射，即使电子 能量略大于势垒高度，也不是所有的电子都穿越势垒。只有当电子的能量大于势 垒高度的6倍以上时，才认为电子全部穿越了势垒。 隧道穿越：（a) 无外场时的隧穿效应；（b）有外场时的隧穿效应。 隧穿二极管的典型的I-V特性曲线 两个稳定工作点可用来保存数据， 而亚稳工作点对于信号放大等敏感应用十分重要。 谐振效应：当隧穿电子的能量等于量子阱的能量时，谐振行为就会表现出来， 物质波幅度达到最大。 RTD的层次结构 基于RTD的静态存储单元 基于RTD的反相器及或非门电路 *