微细加工与MEMS技术张庆中14外延.pptVIP

* 在 单晶衬底上淀积单晶薄膜 的工艺称为 外延。集成电路中的各种器件通常就是做在外延层上的。 第 14 章 外延生长 大多数的外延工艺都可利用各种 CVD 技术来实现，例如 LPCVD、PECVD、快速热处理 CVD（RTCVD）、金属有机物 CVD（MOCVD）、超高真空 CVD（UHVCVD），以及激光、可见光、X 射线辅助 CVD 等 。有些外延工艺则可以利用蒸发技术来实现 ，例如分子束外延（MBE）、离子束外延和离化团束外延等。 对外延膜质量的评价指标有：膜的厚度、组分、掺杂浓度及其均匀性、缺陷密度等。 在许多工艺步骤之前，都必须对硅片进行清洗，以去除残留杂质、颗粒和自然氧化层。外延之前的清洗尤为重要。 14.1 清洗和自然氧化物去除 1 号清洗液（NH4OH : H2O2 : H2O = 1 : 1 : 5）主要用于去除各种有机化合物，也可去除各种金属杂质。 2 号清洗液（HCl : H2O2 : H2O = 1 : 1 : 6）主要用于去除各种碱金属离子和重金属离子。 每种清洗液清洗后，用冷、热、冷去离子水冲洗。清洗结束前用稀释的 HF 溶液浸泡 ，以去除表面的自然氧化层及清洗过程中形成的氧化层，再漂洗，甩干。 即使经过 HF 溶液浸泡的硅片 ，在进入加工室之前仍会因曝露在空气中而形成自然氧化层。对于蒸发和溅射镀膜，可在淀积之前进行 反溅射。对于外延，一般采用 腐蚀。在外延生长之前先向反应室通入含 1% HCl 的 H 混合气体，利用 H 的还原性和 HCl 的腐蚀性可去掉表面的自然氧化层，甚至一薄层硅。 除了对硅片必须严格清洗外，外延工艺对反应室和气体的洁净度也有特别严格的要求。 气相外延（Vapor-Phase Epitaxy , VPE）是集成电路制造工艺中最普遍使用的外延工艺，实际是一种高温 CVD 工艺。 14.2 气相外延生长的热动力学 普通气相外延的温度高达 1200oC 左右。若温度太低，不但影响生长速率，而且会使外延膜从单晶变成多晶。 在高温下，杂质扩散很严重，难以获得极薄的或掺杂浓度突变的外延膜。降低温度是气相外延的发展方向。现在某些外延已经可以在 1000oC 以下的温度进行。利用快速热处理 CVD 单片系统已经实现 800oC 下极薄的高质量硅外延膜的生长。 与 CVD 工艺相同，气相外延过程可分为几个连续的步骤。反应气体从反应室入口处向硅片附近输运，通过同质反应生成系列次生分子，次生分子扩散穿过滞流层到达硅片表面并被吸附，在硅片表面发生异质反应生成单晶硅，气体副产物解吸附并被排出系统。 一、生长速率与温度的关系 式中，Cg 代表主气流中的反应剂浓度，N 代表硅的原子密度除以反应气体分子中的硅原子数。 外延膜的生长速率 R 可表为 当温度较低时，hg ks ，生长速率由表面反应速率常数 ks 决定；当温度较高时，hg ks ，生长速率由气相质量转移系数 hg 决定。 实际生产中外延温度在高温区，生长速率由气相质量转移系数 hg 决定，这时温度的微小变动不会对生长速率造成显著的影响，因此外延对温度控制精度的要求不是太高。 在高温区进行外延生长时，到达硅片表面的硅原子有足够的能量和迁移能力，可在硅片表面运动而到达晶格位置，从而外延出单晶薄膜。温度太低或太高，都会形成多晶薄膜。温度太高还会导致杂质的扩散加重。 在一般的工艺条件下，外延生长速率约为 1 ?m /min。 可以利用 SiH4 热分解法来进行硅的气相外延。但这种方法虽然温度较低 ，却因 SiH4 会在气相中成核而产生较多的颗粒 ，除非使用超高真空，否则外延层的质量很差。 硅的气相外延多利用硅氯化物 SiHxCl4-x ( x = 0、1、2、3 )与 H2 的反应来淀积单晶硅 。反应气体分子中氯原子数越少 ，所需的化学反应激活能就越小，反应温度就越低。最早使用的是 SiCl4，激活能为 1.6 ~1.7 eV，反应温度在 1150oC 以上。现在普遍使用的是 SiH2Cl2 ，激活能为 0.3 ~ 0.6 eV。 二、生长速率与反应剂浓度的关系 所有的氯硅烷都有相似的反应途径，先通过同质反应产生气态的次生反应物 SiCl2 和 HCl，然后再发生以下