CH3_硅片加工倒角教程范本.pptVIP

上章内容 晶体XRD定向 粘接硅棒 多线切割机切割 冲洗 去胶 冲洗，烘干 切片过程的评估 定向的准确性 切割出的硅片最小厚度、厚度均匀性 表面参数——平整性，弯(翘)曲度，碎裂 结构参数——损伤层（如晶格畸变），应力分布～30um 洁净性（加工带来的污染）——金属、有机、表面部分氧化层 切割效率 后续工艺 去除表面损伤层，——研磨（磨片） 消除内应力——可能引起碎裂——倒角，退火 清理表面污染物，——表层切除，清洗，背封，背损伤 确保电阻率温度稳定性——退火 第三章 硅片的倒角、研磨和热处理 本章加工工艺： 1. 边缘倒角 2. 表面研磨 3. 热处理 工艺介绍 倒角：通过金刚石砂轮对硅片边缘进行打磨，使其边缘钝圆光滑，而不易破碎。 研磨：采用磨料研磨的方式，对硅片表面进行磨削，将表面损伤层减薄，获得较平整表面，为抛光创造条件。 热处理：对硅片进行高温退火（650℃），降低或消除硅晶体中氧的热施主效应。 1. 倒角 硅片倒角 简介 工艺 流程 主要参数 倒角 定义：采用高速运转的金刚石磨轮，对进行转动的硅片边缘进行摩擦，从而获得钝圆形边缘的过程。属于固定磨粒式磨削。 作用：消除边缘锋利区，大大减小边缘崩裂的出现，利于释放应力。 崩裂原因：边缘凸凹不平、存在边缘应力、受热边缘膨胀系数不同等等。 倒角加工示意图 有参考面的倒角 硅片边缘不是规则圆形，因此硅片不是做规则的圆周运