2015白底第章半导体制造工艺.pptVIP

2000-9-20 VLSI CAD, CHP.3 第八章 半导体制造工艺 第十章半导体制造工艺 10.0 集成电路制造工艺概述 10.1 几个基本工艺步骤 10.2半导体制造工艺 10.0 工艺概述1 版图预览 MICROWIND IC制造工艺分类 集成电路研制过程 用户需求 指标要求 系统设计 逻辑设计 电路设计 版图设计 数字化（版图图形文件） 转换成PG文件 -------设计方------- 10.0 工艺概述1—分类 双极工艺 基本的有源器件是双极晶体管。 生产的电路主要是TTL、ECL 功耗大，速度高，负载能力强。 MOS工艺 基本的有源器件是MOS晶体管 PMOS NMOS CMOS(主流工艺)功耗低、抗干扰能力强、输出电压范围宽 其它：Bi-CMOS工艺、SOI -CMOS工艺、厚膜工艺、薄膜工艺等 按材料分：硅工艺、锗工艺、砷化镓工艺 10.0 制造工艺概述2—工序类型 前工序 过程：原始晶片（wafer）—芯片加工—中测 成果：管芯(chip) 图10-2-1 主要的芯片制造工艺有： 薄膜制备工艺（外延、氧化、化学气相淀积、蒸发、溅射） 掺杂工艺（离子注入、扩散） 图形转换技术（制版、光刻） 10.0 工艺概述3—工序类型 后工序 过程： 中间测试—(wafer)划片(chip)—贴片-键合-封装-筛选-成品测试。 成果：封装好