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湖北民族学院电子设计大赛 简易直流电子负载（B题） 【专业组】 成员：詹芳萍 张新萍 望晶莹 简易直流电子负载（B题） 【专业组】 摘要 STM32F103ZET6为控制核心，采用D/A TLV5616控制运放LM358驱动N沟道增强型P-MOSFET的双电源场效应管，通过负反馈实现直流电子负载的恒流工作模式。同时采用电流并联检测芯片INA282将电流反馈至单片机（MCU），通过A/D采样检测实际电流与D/A设定电流的差。系统工作电压范围0-18V，工作电流范围100-1000mA，电流测量精度为±0.1%，分辨力为1mA，在满足设计要求的情况下具备了很高的恒流精度。另外，通过对继电器的控制，实现了过压保护与自恢复功能，还具备声光报警等实用功能。 在大功率的应用需求中，本系统可以通过多个P-MOSFET并联扩流很方便的实现。同时在不改变电路的情况下，通过软件更新还可实现直流电子负载的恒阻和恒功率方式运行。 关键词：直流电子负载；恒流模式 一、系统方案 本系统主要由模块、模块、模块、电源模块组成，下面分别这几个模块。 1.1的论证选择 （CC）100mA~1000mA的恒流工作控制。 方案一：。 方案二： 综合种方案，选择方案。 1.的论证与选择 方案一： 方案二：。 综合种，选择方案。 1.的论证与选择 方案： 1.4 电流检测方案的论证与选择 方案一：。方案：。 另外，此处的工作电压最大只有18V左右，不必要采用高电压的电压绝缘。 综合考虑采用。 1.的论证与选择 方案一：A/D、D/A。 方案二：。 为满足本题对精度的要求，故采用。 理论分析与计算 2.1 用运算放大器、功率MOSFET和外部电阻可以恒流电路。其核心实质是一个电流取样的负反馈控制环，采样电阻（康铜丝）上的电压降通过负反馈保持电流恒定，P-MOSFET在这里既作为电流控制器件同时也作为被测电源的负载，工作在线性区。为了提高控制精度，同时通过并联电流检测芯片INA282检测电流大小，反馈到A/D，MCU进行闭环控制。 反馈使采样电阻R14（见图1）端的电压通过D/A设定，进入到运算放大器同向输入端的值Vin+，得到对应的电流为： I=Vin+/R14 （2-1） 为了直流电子负载具有较强的带载能力（即在较小的电压下就能达到1A的最大带载电流），电阻R的取值不能过大，取0.1Ω的康铜丝。由公式（2-1）可知，I=1A时，Vin+=0.1V，由于电压太小导致D/A控制的精度太低，故在反馈中引入同相放大负反馈电路。设反馈的放大倍数为k，得到修正后的电压、电流关系为： I=k*Vin+/R14 （2-2） 由公式（2-2），假设运放同相输入端电压为3.6V时（D/A满量程输出为4.096V，此处留有一定余量），对应电流为1A，可知反馈处的同相放大倍数k=36。 运放的反馈电阻必须足够大，才不会使输出过载；但也不能过大，导致输入偏置电流产生较大的失调，反馈网络的高阻抗也增加干扰信号的电容检波的易感性和杂散电容的负载效应，因此取同相放大器反相输入端电阻R1=10kΩ，又由电压放大倍数k=36，同相放大电压增益公式：Av=1+R17/R16，得R17=350kΩ。 为确保两个输入端的直流驱动电阻相同，即在反馈回路运放的同相输入端接入点阻R13=R17//R16=9.7kΩ，以控制运放的输入偏置电流。 2.2 P-MOSFET选型分析 由方案论证的分析可知，选用N沟道增强型P-MOSFET作为功率管。题目要求被测电源设备输出电压0~18V可调，选用VDS=25V的P-MOSFET。要保证直流电子负载具有较强的拉载能力（保证对低电压大电流电源的测量），除了2.2.1恒流电路的分析中的采用小电阻R（即在电流1A的情况下电阻R上只有0.1V的压降），还要P-MOSFET能够在很小的电压下达到1A的电流。假设电子负载最低工作电压为0.2V，电阻R上分压的0.1V，VDS=0.1V，即要求选用能在VDS=0.1、VGS=10.5V下达到1A的电流的P-MOSFET。 2. P-MOSFET散热分析 采用线性控制方式电子负载，把能量全部损耗在了功率管上，在18V、1A的情况下馆子耗散的功率达到了大约18W，因此需要功率管允许的最大耗散功率，若小于18W，则应增加辅助散热措施。 电路与程序设计 3.1电路设计 3.1.1 在恒流工作模式时，该电路引入负反馈控制P-MOSFET导通控制电流使其保持恒定。U2A为跟随控制，U2B为36倍同相放大反馈。自激震荡，在U2A 1、2脚并接1