东南大学秦明老师半导体器件原理与工艺31.pptVIP

硅的HNA腐蚀-3 硝酸的作用 在水中正常溶解：HNO3??HNO3- +H+ 自催化以形成亚硝酸和空穴 HNO2+HNO3?N2O4+H2O N2O4+HNO2??2NO2-+2h+ 2NO2-+2h+??2HNO2 腐蚀剂必须到表面才能和硅反应或腐蚀 运动到表面的方式将影响到选择比, 过刻, 和均匀性 NO2是硅的有效氧化剂 硅的HNA腐蚀-4 醋酸的作用 常用水代替CH3COOH 醋酸的电绝缘常数比水低 ? CH3COOH -- 6.15 H2O --- 81 ? 减少了硝酸的溶解，提高了氧化能力 硅的HNA腐蚀-5 硅的HNA腐蚀-6 硅的HNA腐蚀-7 区1： 高HF浓度区，腐蚀曲线平行于硝酸浓度刻度，腐蚀受硝酸控制。留下少部分氧化物 区2： 高硝酸浓度区，腐蚀曲线平行于氢氟酸浓度刻度，腐蚀受氢氟酸控制。 区3： 腐蚀受水的影响不大，当HF:HNO3=1:1时，腐蚀速率下降很快 * * * * * * * * * * 光刻胶的对比度 对比度： 光刻胶的涂敷与显影 显影中的三个主要问题 甩胶 先进光刻技术 浸入光刻 Immersion Lithography 电子束光刻 Electron beam Lithography X-Ray Lithography 离子束光刻