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（9）氧化物材料体系 MOCVD氧化物薄膜材料方面的应用表明了MOCVD具有较强的适应性。 制备的具有代表性的材料有：超导材料，如YBCO; 压电材料，如BaTiO3、SrTiO3、ZnO; 氧化物半导体材料：如ZnO、ITO、MgO; 绝缘材料，如SiO2、ZrO、Al2O3等。 MOCVD 技术基础2 MOCVD（Metalorganic Chemical Vapor Deposition） MOCVD是一个将特定的源材料通过一系列严格控制,传输到加热生长区，在此生长区，源材料热分解后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。 主要内容 1.基本原理 2.生长的材料体系 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）热力学分析 使用的原材料 ARn + BHn → AB + nRH A、B是组成外延材料的元素， R是有机基团。 常用的A组分有Ga, In, Al, Mg, Zn,一般为： TMGa, TEGa, TMIn, TEIn, TMAl, TEAl, Cp2Mg (C2H5)2Mg, DMZn, DEZn. 常用的B组分通常采用其氢化物，例如AsH3, PH3, NH3, SiH4, SeH2等。 一些常用源的分子结构示意图 DMZn TMGa AsH3 DMTe TBP TDMAAs 基本原理 （1）使用的原材料 （2）组分控制 （3）