电子技术基础第章.pptVIP

1.1 半导体的基本知识1.2 半导体二极管1.3 特殊用途的二极管本章小结习题  本章重点 1、PN结的特性 2、二极管的基本电路及分析方法和应用 1.1.1 半导体的导电特性　　1. 本征半导体导电能力受环境的影响　 半导体的导电特性是由它的内部结构和导电机理决定的，常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均是四价元素，其原子结构如图1.1.1所示。 　　本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失，形成复合，如图1.1.2所示。 　　2. 杂质半导体导电能力的可控性　　在纯净的硅晶体中掺入磷或其他五价元素，磷原子在取代硅晶体结构中的原子并构成共价键时，多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子，于是半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子成为多数载流子，空穴则成为少数载流子，这样就形成了N型半导体，如图1.1.3所示。 　　在纯净的硅晶体中掺入硼或其他三价元素，硼原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，将因缺少一个价电子而形成一个空穴，于是半导体中的空穴数目大量增加，空穴成为多数载流子，而自由电子则成为少数载流子，这样就形成了P型半导体，如图1.1.4所示。 1.1.2 PN结及其单向导电性 　　1. PN结的形成　　如图1.1.5(a)所示，在一块晶片两边分别形成P型和N型半导体。根据物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方扩散的原理，空穴要从浓度高的P区向N区扩散，自由电子要从浓度高的N区向P区扩散，并在交界面发生复合(耗尽)，形成载流子极少的正负空间电荷区，也就是PN结，又叫耗尽层，如图1.1.5(b)所示。 　　2. PN结的单向导电性　　当PN结的P区接外电源的正极，N区接外电源的负极时，称为“正向连接”，也叫做“正向偏置”，此时外电场与内电场的方向相反，扩散与漂移运动的平衡被破坏。外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，于是空间电荷区变窄，内电场被削弱，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流(由P区流向N区的正向电流)，如图1.1.6所示。 　　将PN结的P区接外电源的负极，N区接外电源的正极，称为“反向连接”，也叫做“反向偏置”，此时外电场与内电场的方向一致，扩散与漂移运动的平衡同样被破坏。外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走，于是空间电荷区变宽，内电场增强，使多数载流子的扩散运动难于进行，同时加强了少数载流子的漂移运动，形成由N区流向P区的反向电流，如图1.1.7所示。由于少数载流子数量很少，因此反向电流不大，PN结的反向电阻很高，即PN结处于截止状态。 　　在PN结的外面接上相应的电极引线和管壳，就制作出了半导体二极管，简称二极管。P区对应的电极称为阳极(或正极)，N区对应的电极称为阴极(或负极)，其常见外形如图1.2.1(a)所示，二极管电路符号如图1.2.1(b)所示。二极管最重要的特性就是单向导电性。 1.2.1 二极管的结构和类型　　二极管的种类有很多：按照所用的半导体材料，可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)；根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等；按照管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管和平面型二极管等。 1.2.2 二极管的伏安特性及等效电路　　1． 二极管的伏安特性　　二极管既然是一个PN结，就当然具有单向导电性，其伏安特性如图1.2.2所示。 　　2. 二极管的等效电路　　图1.2.3所示为二极管伏安特性折线化得到的等效电路, 图中实线为折线化的伏安特性，虚线为实际的伏安特性，各分图的底端为不同折线方式所对应的等效电路图。 1.2.3 二极管的主要参数 　　1. 最大整流电流IF　　IF是二极管长时间安全工作所允许流过的最大正向平均电流。它由PN结结面积和散热条件决定，超过此值，二极管会因过热而被损坏。　　2. 最高反向工作电压URM　　URM是二极管的最大反向工作电压，一般手册上给出的最高反向工作电压URM为反向击穿电压UBR的一半，以保证二极管使用时有一定的安全裕度。 　　3. 反向电流IR　　IR是二极管未被击穿时，流过二极管的反向电流。IR值越小，则二极管的单向导电性越好。此参数对温度非常敏感。　　4. 最高工作频率fM　　fM是二极管维持单向导电性的最高工作频率。工作频率超过fM值时，由于结电容的作用，二极管的单向导电性会变差。 1.2.4 二极管的应用　　1. 整流电路　　利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电, 这一变换过程称为整流。图1.2.4所示为二极管半波