… 控制逻辑 Y 译码 X 译 码 数据缓冲区 Y 控制 128 × 128 存储矩阵 … … PD/Progr CS A10 A7 … A6 A0 … … DO0 … DO7 1 12 … A7 A1 A0 VSS DO2 DO0 DO1 … 2716 24 13 … VCC A8 A9 VPP CS A10 PD/Progr DO3 DO7 … 2 2716 EPROM 的逻辑图和引脚 4.2 PD/Progr PD/Progr 功率下降 / 编程输入端 读出时 为 低电平 ② Intel 2114 RAM 矩阵 64 × 64 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A0 A1 A2 A9 15 … 0 31 … 16 47 … 32 63 … 48 15 0 31 16 47 32 63 48 读写电路 读写电路 读写电路 读写电路 … … … … … … … … 0 1 63 0 15 … … 行 地 址 译 码 列 地 址 译 码 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 WE CS 第一组 第二组 第三组 第四组 4.2 … 控制逻辑 Y 译码 X 译 码 数据缓冲区 Y 控制 128 × 128 存储矩阵 … … PD/Progr CS A10 A7 … A6 A0 … … DO0 … DO7 1 12 … A7 A1
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