半导体照明技术(1~10章)方案.ppt

半导体照明技术(1~10章)方案

4、白光LED的应用 未来白光LED的应用市场将非常广泛,包括手电筒、装饰灯、LCD背光源、汽车内部照明市场、投影灯源等,不过最被看好的市场以及最大的市场还是取代白炽钨丝灯泡及荧光灯。 5、白光LED主要生产企业介绍 在LED业者中,日亚化学是最早运用上述技术工艺研发出不同波长的高亮度LED,以及蓝紫光半导体激光(Laser Diode;LD),是业界握有蓝光LED专利权的重量级业者。 目前除日亚化学和住友电工外,还有丰田合成、罗沐、东芝和夏普,美商Cree,全球3大照明厂奇异、飞利浦、欧司朗以及HP、Siemens、 Research、EMCORE等都投入了该产品的研发生产,对促进白光LED产品的产业化、市场化方面起到了积极的促进作用。 6、白光LED技术未来发展趋势 未来白光LED在技术上有朝三波长全彩发展的趋势,在亮度上目前每瓦15流明,未来目标是达到每瓦100流明;在价格上现阶段每个约5元人民币,未来目标降至1元人民币。因此,三波长全彩、高流明、低成本是白光LED的发展趋势。目前全球大厂正积极努力中,预计在2010年前可达成此目标。 第三节 人造白光的最佳化 一、发光效率和显色性的折中 1、发光效率ηv= ηe.K,辐射效率依赖于器件的能量转换性能,技术不断发展,就会不断提高。光视效能K仅依赖于光发射体的光谱功率分布,而与产生发射的手段无关。 最大效能值在555nm处,为683lm/W。 对于给定的光谱功率分布S(λ),光视效能由下式决定: 一是把内量子效率和取光效率最大化,从而获得最大的发光效率。 二是优化发光体的光谱功率分布,以获得最佳的光视效能和显色指数。 2、白光LED实现最佳化涉及两个问题: 3、发光体的光谱功率分布优化问题 全范围普朗克谱,光视效能较低,显色指数为100;380-780nm波长的修饰普朗克谱,光视效能提高,显色指数为100; 430-660nm波长的修饰普朗克谱,光视效能进一步提高,显色指数为95。 普遍规律:在一个特定的体系中,光视效能和显色指数是矛盾的,需要寻求这两个性能参数间的折中。 二、二基色体系 根据混色原理,两个互补色混合都能产生白光,但对于459nm的蓝紫光和572nm的黄绿光这一对光谱线,混合成白光的光视效能最大。 相加混色图 三、多基色体系 在三基色体系中,白光特性可以得到改善。已知,使发光效率和显色指数最高所要求的白光的功率分布谱含有450nm、540nm和610nm三个峰。与二基色体系比较,在同样的显色指数下,三基色体系发光效率可以提高20%。 第四节 荧光粉转换白光LED 一、二基色荧光粉转换白光LED 设计二基色白光LED的直接途径是用发射蓝光的AlInGaN芯片和发射黄光的荧光粉。典型的器件结构如下图所示。 蓝光芯片固定在内置的反射杯中,并涂覆一层环氧树脂和荧光粉颗粒混合而成的转换层。整个结构在透明树脂中,部分蓝光在荧光粉层中被吸收并转换为黄光。其余的蓝光进入环氧树脂并与黄光混合成白光。荧光粉的最佳选择为铈掺杂的钇铝石榴石YAG:Ce3+ 选择荧光粉的标准主要有五条:1、对led发射波长有强烈的吸收。2、高的量子激发效率。3、满意的稳定度。4、适当的形貌。5、适合的粒度。 二、多基色荧光粉转换白光LED 三基色荧光粉转换白光LED能改善发光效率和显色性。基色光源(450nm/540nm/610nm)的最佳组合也可以用部分被吸收的AlInGaN芯片的蓝光和适当的绿光和橙红光两种荧光粉来实现。 三、紫外LED激发多基色荧光粉 多基色白光LED的另一种方法是采用紫外LED芯片激发一组荧光粉。对于紫外激发白光LED来说,光谱的可见部分完全是由荧光粉产生的。 1、单量子阱结构 这种结构是对双异质结构的改进,将原来双异质结结构中的有源层厚度从0.1-1um减到nm数量级,原来有源层掺杂,现改为未掺杂。用这种结构已制成的绿色LED法向光强达到12cd,比双异质结的高3倍多。 2、多量子阱结构 采用In0.22Ga0.78N/In0.06Ga0.94N的薄层交替结构,曾制作阱宽和势垒宽相同而分别为10nm和3nm的两种结构,周期数为20。这种结构在AlGaInP LED中用得比较多。阱宽可以是3nm到10nm不等。势垒宽也可以与阱宽不同,而阱数可以从3增加到40,明显提高了效率。 3、分布布拉格反射结构 采用分布布拉格反射结构可以将射向衬底的那部分光由分布布拉格发射镜发射出来,大大减少衬底吸收。 4、透明衬底技术 在AlGaInP外延片

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