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Ch 7 光辐射探测器件 光电探测器的物理效应 光电探测器件中的噪声 光电导、光伏探测器件、光电倍增管 热释电探测器件 变像管、增像管、摄像管 电荷耦合器件（CCD） 光电探测器的物理效应 光电效应：入射光辐射的光子流与探测器材料中的电子相互作用，从而改变电子的能量状态，引起各种电学现象。 光热效应：吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子能量状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度的上升，从而使元件的电学或其他的物理性质发生变化。 光辐射探测的噪声 3. 响应时间 影响响应时间的快慢的重要因素 载流子的运动速度。 4. 伏安特性 无光照时，光电二极管的 V－I 特性： I ＝ I [e － 1 ] kT eV s V 是外加偏压，为负值。 有光照时，光电二极管的 V－I 特性： I ＝ I － I [e － 1 ] kT eV s p V 光 照 增 大 无光照时 有光照时 有光照时 I PD：光电二极管 Ec： 电源电压 R： 负载电阻 PD 光电转换器件 常见类型的光电二极管 1. PIN光电二极管 P I N 光 电极 电极 P I N V a. 结构示意图 b. 反向偏置图 在 P 区与 N 区 之间加了一层本征 层，中间 I 层的电 阻率很高，厚度为 毫米量级。 耗尽层变宽 增大了光电转换的作用区域 加强了对长波长光波的吸收。 耗尽层变宽 结电容变小 高频端的响应得到改善。 反向偏压越高，结电容变小的效应越显著。 光电转换器件 2. 雪崩（APD）光电二极管 灵敏度高、响应时间快。 P ? N＋ P＋ Rb 输出 h? 电 场 耗尽区 W 雪崩区 碰撞电离所 需的最小电场 (1) 结构与工作原理 N＋区、P＋区 为重掺杂区； ? ? 为接近本征的低掺杂区； 光照射到光电二极管时，由于器 件的耗尽层很宽，大部分光子在这个 区域被吸收并生成电子－空穴对。 在外电压的作用下，载流子定向 移动成为初始光电流，一次电子在向 PN＋结区漂移的过程中动能增大，到 达PN＋结后，在更高的电场作用下产 生雪崩倍增，一次空穴则直接被 P＋ 区吸收。因此，PIN 中的光电流主要 是一种载流子的贡献 (a) 电场分布 (b) 结构示意图 光电转换器件 (2). 倍增增益 (3). 噪声 G ＝ 1 1－ V － I R m i V b ? V b ：APD 的击穿电压， R i ：为APD 的内阻， ? ：为常数，与材料、 掺杂、波长有关； m I ：为倍增后的电流。 除了一般光电二极管的噪声类型外，还有一种由于倍增增益的 起伏而引起的附加噪声。 (4). 温度特性 环境温度的变化，主要表现在对倍增增益以及暗电流的变化上 3. 肖特基光电二极管 半导体材料与金属接触形成肖特基势垒 构成肖特基光电二极管。 不同的肖特基势垒 不同波长响应； 工作区靠近表面，有利于短波长的吸收，适于对蓝光、紫外光的探测。 光电转换器件 光电倍增管 一、结构与工作原理 1. 光阴极 K D D1 D3 D5 D7 D9 D2 D4 D6 D8 D10 A V0 RL - 1200 - 1000 - 800 - 600 - 400 - 200 - 1100 - 900 - 700 - 500 - 300 - 100 光电子发射型光 检测器；灵敏度高、 稳定性好、响应速度 快；适用于微弱光信 号检测。 K：光阴极，D：倍增极 A：阳极， 阴极在光照下，发射出电子，电子受到极间电场作用而获得较大的 能量。当电子以足够高的速度打到倍增极上时，倍增极产生了二次电子 发射，使得向阳极方向运动的电子数目成倍的增加，经过多次倍增，最 后到达阳极被收集而形成阳极电流。在倍增因子不变的条件下，阳极电 流随光信号的变化而变化。 产生初次电子。因此它决定了光电倍增管的频谱相应特性。 常用锑铯材料和银化铯材料。 光电转换器件 2. 倍增极 某些金属、金属氧化物及半导体，如锑化铯（CsSb）、银镁合金 （MgAg）、氧化铍（BeO）、GaP、GaAs等，其表面受到高速粒子轰 击后，可以重新发射出更多的电子（即二次电子发射），用二次电子发 射? 来表征二次电子发射的量值。 ? ＝ I2 I1 ＝ en2 en1 式中 I1 = en1, I2 = en2 分别表示一次和二次发射电子流。? 表示每一个 入射电子所产生的二次电子数目，即每个倍增极的电流增益。 G ＝ IA / IK = f (