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ROM中的数据表 原理（写入过程）： 1）输入地址，选中字线； 2）写0的位线加高压脉冲； 3）DZ导通，AW输出为0； 4）熔丝烧断，写入0。 原理： 1）当地址译码后， Xi1，Yj1 Xi1，则T5、T6导通，使Q与Bj及Q与Bj接通； Yj1，则T7、T8导通，使位线可输入/输出。 2）读/写控制电路 （a）数据经A2、A3写入存储单元； （b）数据经A1读出 ； （c）A1、A2、A3高阻态。 2716的主要参数有：电源电压VCC+5V编程高电压VPP25V工作电流最大值100mA, 维持电流最大值 25mA最大读取时间450ns存储容量2K×8位。 2716工作方式 ： 6116有三种操作方式： 1）写入方式：当时，D0~D7上的内容存入A0~A10对应的单元。 2）读出方式：当时，A0~A10对应单元的内容输出到D0~D7。 3）低功耗维持方式：当时，器件电流仅20μA左右，为系统断电时用电池保存RAM内容提供了可能性。 一、试用ROM构成实现函数的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 （3）写出逻辑函数表达式4 画出ROM存储矩阵结点逻辑图 为作图方便，将ROM矩阵中的存储单元存入1的单元用结点表示 二、试用ROM实现下列函数： 解： 1写出各函数的标准与或表达式 （2）选ROM，画存储矩阵连线图 本章小结 1）半导体存储器是一种能存储大量数据或信号的半导体器件。在半导体存储器中采用了按地址存放数据的方法，只有那些被输入地址代码的存储单元才能与输入/输出接通，并对指定的单元进行读/写操作。而输入/输出是公用的，所以半导体存储器电路结构中必须包含地址译码器、存储矩阵和输入/输出电路这三个组成部分。 2）半导体存储器从读/写功能上分为ROM和RAM两大类。按存储单元电路的结构和工作原理的不同，又将ROM分为掩模ROM、PROM、EPROM、EEPROM和快闪存储器等几种不同的类型；将RAM分为SRAM和DRAM两类。 3）学生应掌握各种类型半导体存储器在电路结构和性能上的不同特点。掌握用半导体存储器实现组合逻辑函数的方法。 （六管NMOS静态存储单元） 2、SRAM的静态存储单元 静态存储单元触发器+控制电路 二、动态随机存储器DRAM 1、DRAM的动态存储单元的特点 1）利用MOS管栅极电容的电荷存储效应来组成动态存储器。 2）栅极电容的容量很小通常仅为几皮法，漏电流又不可能绝对等于零，所以电荷保存的时间有限 3）为了及时补充漏掉的电荷以避免存储的信号丢失，必须定时地给栅极电容补充电荷---刷新或再生。 1）读操作程序 A. 先加预充电脉冲，使C0、C‘0充电至高电平 B.使X、Y同时为高电平 2）写操作程序：使X、Y同时为高电平即可写入。 三管MOS动态存储单元 2、DRAM整体结构框图实用存储器芯片 1、EPROM2716 数据输出 +25V 0 0 编程校验 高阻浮置 +25V 1 0 编程禁止 数据写入 +25V 1 编程 高阻浮置 +5V × 1 维持 数据输出 +5V 0 0 读出 输出D VPP 工作方式 2、EEPROM2864 3、SRAM6116 6.4 存储器的应用 一、思路 1、存储器的译码器输出包含了输入地址变量全部的最小项; 2、存储器数据输出又都是若干个最小项之和; 3、而任何的组合逻辑函数可用输入逻辑变量的最小项之和表示。 二、推论n位输入地址、m位数据输出的存储器可以设计一组最多为m个任何形式的n输入逻辑变量组合逻辑函数 三、方法 只要根据函数的形式向存储器写入相应的数据即可。 四、步骤 1、根据输入变量数和输出端个数确定存储器的类型； 2、将函数化为最小项之和的形式（列出函数的真值表）； 3、列出函数的数据表； 4、画出相应的电路的结点图（编程写入数据）。 1、作函数运算表电路（YX2） 2、实现组合逻辑函数 3、用ROM设计一个8段字符显示的译码器 4、数字波形发生数据存储器 举例 解：1分析要求、设定变量 x的取值范围为0～15的正整数，用BB3B2B1B0表示； Y的最大位是＝225，用YY7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。2列真值表、函数运算表 最小项编号形式表示为： * 中南大学信息科学与工程学院 第六章 半导体存储器 * 中南大学信息科学与工程学院 第六章 半导体存储器 6.1 概述 6.2 只读存储器（ROM） 6.3 随机存取器（RAM） 6.4 存储器的应用 6.1 概述 一、存储器的构造特点 1.数目庞大与管脚有限 2.分组技术 3.地址译码技术 4.共享通道技术 二、存储器的分类 从存、取功能上分 只读存储器ROM 随机存储器RAM SRAM DRAM