第4章固体的能带结构技术方案.ppt

六、光生伏特效应 利用pn结还可以制成光电池，其原理如下：采用扩散方法，在p型表面上掺入n型的薄层，从而构成pn结。当光照射到pn结附近时，光子会产生电子-空穴对，于是在pn结处偶电层内强电场的作用下，电子将移到n型中，而空穴则移到p型中，从而使pn结两边分别带上正负电荷。这样，在光的照射下，pn结就相当于一个电池，这种由于光的照射，使pn结产生电动势的现象，叫做光生伏特效应。 * 半导体 一. 能带 量子力学计算表明，固体中若有N个 原子，由于各原子间的相互作用，对应于 原来孤立原子的每一个能级,变成了N条靠 得很近的能级,称为 能带。 固体中的电子能级有什么特点？ 能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。 若N~1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。 一般规律： 1. 越是外层电子，能带越宽，?E越大。 2. 点阵间距越小，能带越宽，?E越大。 3. 两个能带有可能重叠。 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 能带重叠示意图 二 . 能带中电子的排布 固体中的一个电子只能处在某个能带中的某一能级上。 排布原则： １. 服从泡利不相容原理 ２. 服从能量最小原理 设孤立原子的一个能级 Enl ，它最多能容纳 2 (2 +1)个电子。 这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后， 能带最多能容纳２Ｎ(2 +1)个电子。 电子排布时，应从最低的能级排起。 有关能带被占据情况的几个名词： 1．满带（排满电子） 2．价带（能带中一部分能级排满电子） ? 亦称导带 3．空带（未排电子） ? 亦称导带 4．禁带（不能排电子） 2ｐ、３ｐ能带，最多容纳 6Ｎ个电子。 例如，1ｓ、２ｓ能带，最多容纳 2Ｎ个电子。 ２Ｎ(2 +1) 三、 导体和绝缘体 它们的导电性能不同， 是因为它们的能带结构不同。 固体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体 绝缘体 在外电场的作用下，大量共有化电子很 易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其共有化电子 很易从低能级跃迁到高能级上去。 E 导体 从能级图上来看，是因为满带与空带之间 有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV）， 共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到 高能级（空带）上去。 在外电场的作用下，共有化电子很难接 受外电场的能量，所以不能形成电流。 的能带结构,满带与空带之间也是禁带， 但是禁带很窄（?E g 约0.1～2 eV )。 绝缘体 半导体 绝缘体与半导体的击穿 当外电场非常强时，它们的共有化电子还是 能越过禁带跃迁到上面的空带中的。 绝缘体 半导体 导体 三、半导体的分类 一. 本征半导体 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体的导电性能在导体与绝缘体之间。 介绍两个概念： 1. 电子导电……半导体的载流子是电子 2. 空穴导电……半导体的载流子是空穴 满带上的一个电子跃迁到空带后, 满带中出现一个空位。 例. 半导体 Cd S（硫化镉） 满 带 空 带 h? ?Eg=2.42eV 这相当于产生了一个带正电的粒子(称为“空穴”) , 把电子抵消了。 电子和空穴总是成对出现的。 空带 满带 空穴下面能级上 的电子可以跃迁 到空穴上来, 这相当于空穴 向下跃迁。 满带上带正电的 空穴向下跃迁也 是形成电流, 这称为空穴导电。 ?Eg 在外电场作用下, 二. 杂质半导体 １. n型半导体 四价的本征半导体 Si（硅）、Ｇｅ（锗）等，掺入少量五价的杂质元素，如P（磷）、As（砷）等 形成电子型半导体, 称 n 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的 能级在禁带中紧靠空带处, ?ED～10-2eV， 极易形成电子导电。 该能级称为施主能级。 n 型半导体 在n型半导体中 电子……多数载流子 空 带 满 带 施主能级 ED Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴……少数载流子 ２.ｐ型半导体 四价的本征半导体Si（硅）、Ｇe（锗）等， 掺入少量三价的杂质元素，如Ｂ（硼）、 Ga（镓）、Ｉn（铟）等形成空穴型半导体， 称 p 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴的 能级在禁带中紧靠满带处，?ED～10-2eV， 极易产生空穴导电。 该能级称受主能级。 空 带 ED 满 带 受主能级 P型半导体 Si Si Si Si