项目1节能灯电路的制作精选.ppt

＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 三价元素硼(B) B + 掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴载流子的数量大大增加。因此空穴是这种半导体的导电主流。 掺入三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自 由电子载流子的数量而称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。 在P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电 子，而不能移动的离子带负电。 － （3）杂质半导体—P型半导体 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数 量极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入某种元素的微量 杂质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强。 + 五价元素磷(P) ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 P 掺入磷杂质的硅半导体晶格中，自由电子的数量大大增加。因此自由电子是这种半导体的导电主流。 在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电 子载流子的数目将增加几十万倍。掺入五价元素的杂质半导 体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。 （3）杂质半导体—N型半导体 2. PN结的形成过程及其单向导电性 PN结的形成 杂质半导体的导电能力虽然比本征半导体极大增强，但它 们并不能称为半导体器件。在电子技术中，PN结是一切半导 体器件的“元概念”和技术起始点。 在一块晶片的两端分别注入三价元素硼和五价元素磷