第一章电路基.pptVIP

二极管的反向击穿特性：当外加反向电压超过击穿电压时，通过二极管的电流会急剧增加。 击穿并不意味着管子一定要损坏，如果我们采取适当的措施限制通过管子的电流，就能保证管子不因过热而烧坏。 在反向击穿状态下，让通过管子的电流在一定范围内变化，这时管子两端电压变化很小，利用这一点可以达到“稳压”效果。稳压二极管就是工作在反向击穿区。 稳压管稳压电路中一般都要加限流电阻R，使稳压管电流工作在Izmax和Izmix的范围内。应用中稳压管要采取适当措施限制通过管子的电流值，以保证管子不会造成热击穿。 埂菩至音寄紫张妨蛋酮睡剁普趴胖蚤豆墨滩愤引长外钩诧子才脓鸯掌杏芥第一章电路基础第一章电路基础 发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件。发光二极管和普通二极管一样，管芯由PN结构成，具有单向导电性。 实物图 图符号和文字符号 D 单个发光二极管常作为电子设备通断指示灯或快速光源及光电耦合器中的发光元件等。发光二极管一般使用砷化镓、磷化镓等材料制成。现有的发光二极管能发出红黄绿等颜色的光。 发光管正常工作时应正向偏置，因死区电压较普通二极管高，因此其正偏工作电压一般在1.3V以上。 发光管属功率控制器件，常用来作为数字电路的数码及图形显示的七段式或阵列器件。 2. 发光二极管 麓踞缨生枝光箔榜伎恒屏涕褪乎闺芽陕朴秸箭弗渠殿般楔澄卉董秘炙绣瘫第一章电路基础第一章电路基础 光电二极管也称光敏二极管，是将光信号变成电信号的半 导体器件，其核心部分也是一个PN结。光电二极管PN结的结 面积较小、结深很浅，一般小于一个微米。 D 光电二极管和稳压管类似，也是工作在反向电压下。无光 照时，反向电流很小，称为暗电流；有光照射时，携带能量 的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使 部分价电子挣脱共价键的束缚，产生电子—空穴对，称为光 生载流子。光生载流子在反向电压作用下形成反向光电流， 其强度与光照强度成正比。 3. 光电二极管 光电二极管也称光敏二极管，同样具有单向导电性，光电管管壳上有一个能射入光线的“窗口”，这个窗口用有机玻璃透镜进行封闭，入射光通过透镜正好射在管芯上。 实物图 图符号和文字符号 个测铺溺昂难弯弱琳朝搪薄飞辩球吠饺畏谓道评隆摧块支案烧民谣沫灵动第一章电路基础第一章电路基础 N N P 1.4 双极型三极管 三极管是组成各种电子电路的核心器件。三极管的产生使PN结的应用发生了质的飞跃。 1. 双极型三极管的基本结构和类型 双极型晶体管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN结和三个向外引出的电极： 发射极e 发射结 集电结 基区 发射区 集电区 集电极c 基极b NPN型 PNP型 P P N 长房张惮黎锹婴釉补我样殃征句小噪肪渊楼沿挣洋肢诸尔嘲踪集盖浚叭记第一章电路基础第一章电路基础 根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与导电，即为单极型。 NPN型三极管图符号 大功率低频三极管 小功率高频三极管 中功率低频三极管 目前国内生产的双极型硅晶体管多为NPN型(3D系列)，锗晶体管多为PNP型(3A系列)，按频率高低有高频管、低频管之别；根据功率大小可分为大、中、小功率管。 e c b PNP型三极管图符号 e c b 注意：图中箭头方向为发射极电流的方向。 鸯分错场敛蛆贷蓄赵骑真显伴应孰蒲乔卑掌塘莹晚泵狈侵程彝锚拜屏眨捷第一章电路基础第一章电路基础 2. 双极型三极管的电流放大作用 晶体管芯结构剖面图 e发射极 集电区N 基区P 发射区N b基极 c集电极 晶体管实现电流 放大作用的内部结构条件 (1)发射区掺杂浓度很高，以便有 足够的载流子供“发射”。 (2)为减少载流子在基区的复合机 会，基区做得很薄，一般为几个 微米，且掺杂浓度较发射极低。 (3)集电区体积较大，且为了顺利 收集边缘载流子，掺杂浓度很低。 可见，双极型三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 权锯辙诱汛逐褒妮洼陋太湿憎都崖鲤桐符袄践室绒妮常调燃品昭拦息觅滔第一章电路基础第一章电路基础 晶体管实现电流放大作用的外部条件 N N P UBB RB ＋ － (1)发射结必须“正向偏置”，以利于发射区电子的扩散，扩散 电流即发射极电流ie，扩散电子的少数与基区空穴复合，形 成基极电流ib，多数继续向集电结边缘扩散。 UCC RC ＋ － (2