EMC瞬态电压的抗扰度试验及防护.doc

EMC-瞬态电压的抗扰度试验及防护 1 种类 浪涌（冲击）Surge：雷电，（开关）操作过电压 电快速瞬变脉冲群 Electrical fast transient/burst，EFT/B：切断电感性负载等引起 静电放电Static electricity discharge 或Electrostatic discharge（ESD）：人体或机器静电放电 2 抗扰度实验方法 2.1 浪涌抗扰度实验 标准：GB/T 17626.5-1999 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌（冲击）抗扰度试验 （等同采用IEC61000-4-5：1995） 1）试验信号 对应的短路电流波形为10/350μs。 抗扰度等级（试验信号电压） 针对电源端口和非电源端口采用不同的信号源电阻和耦合方式 对电源端口： 线对线：2Ω(信号发生器的内阻)，耦合电容18μF 线对地：2Ω(信号发生器的内阻)+10Ω, 耦合电容9μF（美国等国家用2Ω） 对直流电源端口，如果不是连接到配电电源网络，视作其它端口 对其它非屏蔽非对称端口：2Ω(信号发生器的内阻)+40Ω, 耦合电容0.5μF 或用放电管耦合（当电容耦合会影响被试设备工作时） 对其它非屏蔽对称端口：如下图 对屏蔽端口：（略） 2.2电快速瞬变脉冲群抗扰度实验 标准：GB/T 17626.4-1998 电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验（等同采用IEC61000-4-4：1995） 1）试验信号 2）抗扰度等级（实验信号电压） 耦合方式 对电源端口：电容耦合，33nF耦合电容 对其它端口：容性耦合夹或金属箔等 2.3静电放电抗扰度实验 标准：GB/T 17626.2-1998电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验（等同采用IEC61000-4-2：1995） 静电放电模型 静电发生器等效电路及放电电流波形 3）试验方法 (1) 直接放电 接触放电（优先选用）：外壳，允许用户维修的点 空气放电（不能使用接触放电时）：表面涂漆，且制造厂家指明是绝缘层，则使用空气放电，否则，应穿入漆膜，进行接触放电。 (2) 间接放电：对设备附近的耦合板进行放电。 4）试验等级 2.4 过程仪表的抗扰度试验等级 标准：GB/T 18268-2000(等同IEC 61326-1997) 测量、控制和实验室用的电设备电磁兼容性要求 浪涌：3级。电源端口：1KV/2KV,其它端口：1KV 和电快速瞬变脉冲群：3级。电源端口：2KV,其它端口：1KV 静电放电（外壳）：接触放电：2级（4KV）；空气放电：3级（4KV） 关于直流电源端口的理解：连接与直流配电网络的端口。没有连接与直流配电网络的端口，应当做I/O端口/控制端口处理 4 瞬态电压的防护 基本方法：吸收；滤波 4.1吸收用器件 陶瓷放电管GAS TUBE 陶瓷气体放电管是一种陶瓷封装的、内充低压惰性气体的开关型保护器件，一般分二电极和三电极两种结构。基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与放电管并联的其它器件得到保护。其产品主要特点是：放电电流大（达20KA以上），极间电容小（≤3pF），绝缘电阻高（≥10GΩ）.击穿电压分散性较大（±20%），反应速度稍慢（最短为0.1～0.2μs），有续流问题。 半导体放电管SIDACTOR (硅对称二端开关元件) 半导体放电管是一种PNPN组件( Thyristor，一个无门电极的自由电压控制的可控硅),当电压超过它的断态峰值电压(或称雪崩电压)时，半导体放电会将瞬态电压箝制到组件的开关电压(或称转折电压)值之内。电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态，只有在当电流小于维持电流时，组件才复位并恢复到它的高阻抗状态。特点：快速响应（1纳秒）启动电压范围5V- 550V，瞬间冲击电流50A- 3000A； 无极性，双向浪涌保护、对浪涌有良好的吸收性； 具有单芯片、双芯片及三芯片3端子平衡型；有表面安装型（DO-214AA）。有续流问题。 玻璃放电管SPARK GAP 玻璃放电管”将半导体Si集成在气体放电管里，使该产品集气体放电管的大浪涌电流和半导体的高速响应于一体，克服了原气体放电管响应速度慢（μs级）和半导体管耐浪涌电流弱的缺点、具有响应速度快（ns级）、耐冲击、性能稳定、重复性好和寿命长等优点。电流承受能力强：500A （8/20μs