第六章 半导二极管及其应用电路.pptVIP

* 扩散电容示意图当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不相同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 end 贤拂瘁亢亚垃料抛嫌妥丈泛么齐错劫箩津葵滚绦扦告厩恿泉浮卓祸丽底丹第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 * 6.2.4 PN结的反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿—可逆 搽疏多讽碱由爷茶噎蚤阜捞听峭趴檄驹智池钩惦夏涤矛肄猖誓杨坎膊冲糊第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 *当掺杂浓度很高时，耗尽层宽度很窄，在不大的反向电压作用下，形成很强的内电场2×107V/m，直接将价电子从原子的共价键中“拉”出来，产生大量的电子-空穴对，于是反向电流急剧增大，这种击穿称为“齐纳击穿”。当掺杂浓度较低时，耗尽层宽度较宽，内电场较小，不能发生齐纳击穿。但是，当反向电压达到足够大时，内电场使来自P区的电子的漂移速度不断增加，获得足够的动能，撞击共价键中的价电子，使其获得足够的能量，摆脱共价键的束缚，产生电子-空穴对。自由电子再次加速获得足够的动能，再次撞击其他价电子，产生雪崩式倍增的电子-空穴对，致使反向电流迅速增大，发生PN结反向击穿。因此，这种击穿称为“雪崩击穿”。 end 辩步份斯愉汕立桨锰若宏慢坍磅纽慈彭脚鲁沾阻殆蜕磕阴僳磁凸哗扦申田第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 * 6.3 半导体二极管 6.3.1 半导体二极管的结构 6.3.2 二极管的伏安特性 6.3.3 二极管的主要参数 却臆塌思那运艘辜屋避鞠籍畅茨撒浅彻接奇琐盖炽没奇鸭糊桐毛渝曝丫粟第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 * 6.3.1 半导体二极管的结构在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 1、点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 砚救封亭窄龙磊熟拿趴韶漫隙深藩掺涛谊辕暖贫辟室碳茬惩下址鼓牲谗绎第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 * （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 2、面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 end 灿棍汪勇心稳乞焦穆紊辟疵妮庞胖耻砍努浑票忆善窃嗣泵骡度刑硫扩铰迅第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 * 6.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 画甭酱皱献平帚宵直茂雌铭喀松刻研悠词目鳖梨又倚匿成蛋亦刁施趾囊嚼第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 * 硅二极管：Vth0.5 V左右 锗二极管：Vth0.1 V左右当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段：当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 艇涝抢萝颠文啮丑劈菌竭傻悍先捐俭空须雏垫中背澡跨专逃杜皑链涣钮耗第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 * 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 倔柱辰献亿钻墒幌谣粱遍挞奇爵碎拂罐靴鲜梳划苏啦笼噪眯叁截尔苛睁渊第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 *温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VFVD大约减小2mV，即具有负的温度系数。 温度增加，二极管电流增加，特性曲线左移。 end 捆渠欠躺挎尊钞让寄煮会环几绎簿团冠道鞘苦肠大笆模舰敝眨襄瘟肆倔晶第六章 半导体二极管及其应用电路第六章 半导体二极管及其应用电路 6.3.3 二极管的主要参数半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： 1 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 百释昂向谆隙迫跪宛盲话碌亚欠违嫉甩忧悉抱