FAP第五章集成运算放大器107506616.ppt

0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 三. 二极管的主要参数 1 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 2 反向击穿电压UBR———二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 3 反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安nA级；锗二极管在微安?A级。 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 四、稳压二极管P17稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻稳压二极管的主要 参数 1 稳定电压UZ —— 2 动态电阻rZ—— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ ?U /?IrZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。3 最小稳定工作 电流IZmin——保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 4 最大稳定工作电流IZmax——超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。稳压二极管应用注意事项： （1） 稳压二极管接反向电压，保证其工作在反向 击穿区 （2）应用时应串接限流电阻，防止管子被击穿 （3）因稳定值不同，稳压管不能并联使用 负载电阻。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 五、光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 五、发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 小结 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时，可根据不同情况，使用不同的二极管模型。 * * * 模拟电子技术 理论部分：50课时 实操部分：40课时（分班） 教师：吴楚珊 TEL：1座机电话号码32（674032） E-MAIL：cswu@gdaib.edu.cn 理论部分：50课时 实操部分：40课时（分班） 教师：吴楚珊 TEL：1座机电话号码32（674032） E-MAIL：cswu@gdaib.edu.cn第一章 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 BJT模型 1.5 场效应管 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 1.1 半导体的基本知识 金属一般都是导体。 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。 1.1 半导体的基本知识 热敏特性、光敏特性、掺杂特性 1.1 半导体的基本知识 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 一. 本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.座机电话号码%，常称为“九个9”。这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。