第3章存储器层次结构-2.pptxVIP

非易失nonvolatile2.1 存储器概述一、存储器分类1. 按存储介质分类易失volatile(1) 半导体存储器TTL 、MOS(2) 磁表面存储器磁头、载磁体(3) 磁芯存储器硬磁材料、环状元件(4) 光盘存储器激光、磁光材料2. 按存取方式分类(1) 存取时间与物理地址无关（随机访问） 随机存储器RAM在程序的执行过程中 可读 可写 只读存储器ROM在程序的执行过程中 只读(2) 存取时间与物理地址有关（串行访问） 顺序存取存储器SAM 磁带 直接存取存储器DAM 磁盘静态 RAMRAM动态 RAM主存储器MROMPROMROMEPROMEEPROM辅助存储器3. 按在计算机中的作用分类存储器Flash Memory高速缓冲存储器（Cache）磁盘、磁带、光盘、磁盘阵列、网络存储系统等 ／速度容量价格 位CPUCPU主机寄存器缓存主存磁盘辅存光盘光盘磁带磁带慢大低 二、存储器的层次结构1. 对存储器的要求：容量大、速度快、成本低2. 存储器三个主要特性的关系快小高 二、存储器的层次结构2. 目前存储器的特点：速度快的存储器价格贵，容量小； 速度慢的存储器价格低，容量大；3. 存储器的设计思路：为了解决存储容量、存取速度和价格之间的矛盾，在计算机存储器系统设计时，应当在三个方面作折中考虑。把各种不同速度、容量、价格的存储器，按一定的体系结构组织起来，形成一个统一整体的存储系统。提出并建立了分层次的存储器体系结构。 二、存储器的层次结构从CPU的角度来看，n种不同的存储器(M1~Mn)在逻辑上是一个整体。M1速度最快，容量最小，价格最高；Mn速度最慢，容量最大，价格最低。整个存储系统具有接近于M1的速度，相等或接近于Mn的容量和价格。在多级存储层次中，最常用的数据在M1中，次常用的在M2中，最少使用的在Mn中。 二、存储器的层次结构三级存储架构：高速缓存，主存储器，辅存存储器目标：主存储器为核心，缓存（cache）速度，辅存容量存储器作用性能种类cache存储当前经常使用的程序和数据高速存取指令和数据速度快容量小半导体主存存放当前使用的程序和数据，能和cache交换数据和指令中间半导体辅存存放大量的后备程序和数据容量大成本低磁盘磁带光盘4. 缓存 主存层次和主存 辅存层次10 ns20 ns200 nsmsCPU缓存主存辅存缓存主存主存辅存（速度）（容量）主存储器虚拟存储器虚地址实地址物理地址逻辑地址 二、存储器的层次结构Cache存储系统是为解决主存速度不足而提出来的。在cache和主存之间，增加辅助硬件，让它们构成一个整体。从CPU看，速度接近cache的速度，容量是主存的容量，价格接近主存价格。由于cache存储系统全部用硬件来调度，因此它对系统程序员和应用程序员都是透明的。20ns200ns10ns 二、存储器的层次结构虚拟存储系统是为解决主存容量不足而提出来的。在主存和辅存之间，增加辅助的软硬件，让它们构成一个整体。从CPU看，速度接近主存速度，容量是虚拟的地址空间，价格接近辅存价格。由于虚拟存储系统需要通过操作系统来调度，因此对系统程序员是不透明的，但对应用程序员是透明的。200ns10nsms (4) 动态 RAM 刷新 动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息，因为这个电荷量随着时间和温度而减少，导致原存信息慢慢丢失，因此必须定期刷新。刷新：先将原存信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入，由刷新电路逐行完成刷新。刷新周期：从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止，这段时间间隔称刷新周期。刷新方式：集中式、分散式、异步式① 集中刷新（存取周期为0.5 ?s ）读/写或维持刷新读/写或维持01周期序号tttttttcccccccXYVW01127地址序号3872个周期（1936 ?s） 128个周期（64 ?s） 刷新序号刷新时间间隔（）2 ms (4) 动态 RAM 刷新以128 × 128 矩阵为例“死区” 为0.5 ?s ×128 = 64 ?s “死时间率” 为128/4 000 ×100% = 3.2%W/RW/RW/RW/RW/RW/RREFREFREFREF…0126127ttMRtC128刷新间隔个存取周期读写刷新② 分散刷新（存取周期为1 ?s ）以 128 ×128 矩阵为例tC = tM + tR无 “死区”(存取周期为 0.5 ?s + 0.5 ?s )③ 分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）对于 128 ×128 的存储芯片（存取周期为 0.5 ?s ）若每隔 15.6 ?s 刷新一行每行每隔 2 ms 刷新一次“死区” 为 0.5 ?s 将刷新安排在指令译码阶段，不会出现 “死区”主存DRAMSRAM缓存电容触发器高