KP方法计算应变量子阱空穴能级.docVIP

Spin-orbit-coupling effects on the valence-band structure of strained semiconductor quantum wells Calvin Yi-Ping Chao and Shun Lien Chuang Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois 摘要：找到一组将6×6 Luttinger-Kohn 哈密顿量对角化为两个3×3块的酉变换，使得计算量子阱能带时更有效。使用这些公式，系统的研究了应变量子阱中重空穴、轻空穴和自旋轨道分裂耦合。给出应变对k空间能量表面的影响，给出包含与不包含自旋轨道分裂能带的结果。结果显示，自旋轨道分裂耦合对能带特别是高应变量子阱能态影响很明显，不能忽略。 简介 应变可以是调整半导体能带参数的有力工具，在量子阱激光器，调制器，探测器等中有重要的应用。例如对于应变量子阱激光器，应变使得量子阱价带带边在k＝0处分裂，降低平面有效质量，从而降低态密度，降低阈值电流。各向同性(静水力学的)应变改变带隙，各向异性（单轴或切应变）使得价带在k＝0处简并分离。应变导致重空穴、轻空穴、自旋轨道分裂带额外的耦合，这些耦合在非应变量子阱计算中通常被忽略，但对于高应变量子阱，忽略这些耦合将导致计算能