第六章 常用半导体器件.pptx

第 6 章常用半导体器件6.1 二极管6.2 三极管6.3 半导体三极管的　　 测试与应用6.1 二极管6.1.1 半导体概述6.1.2 PN结及其单向导电性6.1.3 二极管的结构与类型6.1.4 二极管的伏安特性和主要参数6.1.5 二极管的应用6.1.6 特殊二极管6.1.1 半导体概述一、本征半导体半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体 —纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子 —自由运动的带电粒子。共价键 —相邻原子共有价电子所形成的束缚。本征激发： 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。空穴+4+4+4+4空eSi+4价电子惯性核硅(锗)的原子结构硅(锗)的共价键结构自由电子简化模型(束缚电子)空穴可在共价键内移动复 合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。漂 移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。+–两种载流子两种载流子的运动电子(自由电子)自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动空穴 在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流IN 。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流IP 。半导体的导电特征IIPIN电子和空穴两种载流子参与导电I = IP + IN 结论:1. 本征半导体中电