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- 2016-12-06 发布于湖北
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这种方法的主要缺点是小晶体的晶体个数很 难测得准确的值。因此,晶体的总个数N和小 于某一晶体尺寸的个数NF很难得到。但是, 在实验中的数据可以得到大于某一晶体尺寸 的值,即N(1-F)。这种在实验中确定某一晶 体尺寸,来进行实验、计算,还可以得到相 应的成长速率。 这一方法也可得到成长速率依赖于晶体尺寸 的成长速率。 晶体尺寸分布最大值法 晶体尺寸分布的最大值的大小与位置随时间的变化是估计晶体成长速率 的一个很有用的信息:(Wey and Estrin 1973) Lp为分布最大值即对应的晶体尺寸 上述方程表示最大值 在Lp点随时间的变化 对晶体的成长速率不随晶体尺寸改变的情况下,其最大值的大小不随时 间而变,只是随时间右移,对晶体的成长速率随晶体尺寸而变时,如果 ,其最大值增加 ,其最大值减少 影响间歇结晶过程的因素 晶体的质量,产量和每一个间歇过程的产品的一致性都可能与间歇操作的条件相关。在这里主要讨论间歇时间,过饱和度的变化曲线,晶种,晶体尺寸分布控制,生长速率变化,混合等对间歇结晶过程的影响。 间歇时间 要完成一个间歇操作循环,要包括几个步骤,对一个冷却结晶系统有以下几步组成: 1.为结晶间歇加料 2.冷却到饱和温度 3.结晶过程 4.排料过程
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