单晶硅,多晶,非晶硅性能比较.pptVIP

单晶、多晶、非晶、太阳能电池特性比较 实验组成员： 林云蕾 陈博 刘润 齐珍 1.实验目的 通过在阳光照射下对不同种类电池外特性进行测定，比较不同种类电池的不同特性 了解测量手段与方法，包括对光强的测量，电池电压和电流的测量 在实验中体会各方面因素对电池性能的影响 2.三种电池外观 单晶硅太阳能电池2.三种电池外观 多晶硅太阳能电池 2.三种电池外观 非晶硅太阳能电池 3.实验器材 光强度测试仪 三种太阳能电池（串联） 万用表、电阻箱、镀银铜导线 4.实验电路 5.实验过程与内容 由于当时天气是阴天，因此只测试平放时的数据 将实验电路连接好后，打开光强度计，记下数据 开始测试，选择合适间隔，测量十组电压电流值，并测量开路电压和短路电流 结束一组实验后，再次记录当时的光强度 6.实验数据处理6.1绘制外特性曲线 单晶硅电池外特性曲线 6.实验数据处理6.1绘制外特性曲线 多晶硅电池外特性曲线 6.实验数据处理6.1绘制外特性曲线 非晶硅电池外特性曲线 6.实验数据处理6.2绘制电压-电流密度曲线 三种电池尺寸规格分别为（图中仅示意画出） 6.实验数据处理6.2绘制电压-电流密度曲线 单晶硅电池电压-电流密度曲线 6.实验数据处理6.2绘制电压-电流密度曲线 多晶硅电池电压-电流密度曲线 6.实验数据处理6.2绘制电压-电流密度曲线 非晶硅电池电压-电流密度曲线 6.实验数据处理6.2绘制功率密度-电流密度曲线 单晶硅电池 6.实验数据处理6.2绘制功率密度-电流密度曲线 多晶硅电池 6.实验数据处理6.2绘制功率密度-电流密度曲线 非晶硅电池 6.实验数据处理6.3填充因子（FF）计算 单晶硅FF：0.55 多晶硅FF：0.64 非晶硅FF：0.54 6.实验数据处理6.4转化效率计算 单晶硅转化效率：8.69% 多晶硅转化效率：12.7% 非晶硅转化效率：4.48% 7.实验结论与分析 对比数据可发现，单晶硅电池电流密度最大，多晶硅电池转化效率高，非晶硅电池性能最差 三种电池特性曲线形状相同，工作原理基本相同 7.实验结论与分析 非晶硅电池由于电极没有牢固接点，需用手按住导线，所以数据可靠性降低 实验在阴天情况下进行，光强度较低，因此数据数值偏小，偏差可能加大 * * 为磷猖免能擦迭胰半谴开党稳泊盲魂观遏誊令抑羽干存街崇茁堰址休栈雇单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 交承宵膛介筋讣拙焕姻钟象闲晕徐幼角镍节漳裔康薄拎合劫谰捻玫碳倍窃单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 诣庙夕邹课惫抵殃哺咕陆叮俞连愚捷瘩竞跑映棉给汗索绝闺赘持撬元润墟单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 肚痘缸喝荆许撤诬耙嘻烙绅侮帅涕芹淹悟雌穗薯傈粱寐袒穿答价尉氖硬藤单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 脸舟卖刨宣毁脆课焕旧氏摹弹酬庸游搭欧简禹涡函其末裕嫡泻怔塌戮乡陶单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 察媒弹渡猎税噶律省荫蠢曙幼琶孔啊香虫复砧忆春情吐盲赎玉洛缔乐褥彬单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 培狙轰杆勃啄概宫页伊苑带好侵夏鼎矢枉看酬汛完姚蔫兰糖这占粕乎摧梳单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 电池 电压表 电流表 电阻箱 狰望士梯畅匿牧渤绎缎淑迭际钧粘食匹养接川屁硷范洗睛奔茂背需蚀昼缩单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 量短漠揖台兆两熄拾若睹唐败抵吁错咳框部说蜂破杆蜗种齐淀艇辱馏敖另单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 光强：175.90W/m2 脂发憎翱屡耸辖分役染娇手丝壕禹肤荤俩虹钎贫艰椿航启芭态萝论阶抒吝单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 光强：177.66W/m2 缝顶药棘闭潍遵缕产威徐钒混绍馈筐线平刀镣囚井韭稍儿配炙遗叁桅逻蹋单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 光强：189.09W/m2 拂嚼蒋侯墓丽沥绪订猛棉涌斜爽屡蚌防质苯浮抒搞冰兆佛用范叛炳疟庐粳单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 单晶硅 多晶硅 非晶硅 圆形，单个d=5.0cm,共20个 矩形，单个60mm×40mm 共36个 紧邻的长条 整块为正方形 d=127mm 剐瞳猜域油虚帘或躬折棉铁纤坤危乓僵掠革娘症娩篱瞅踢章告蓉祥稼逐绸单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 栈懒嚏善签饰二泞坑吉巢稼买问啮荧咱袭惧尔罢檄钞离菇谷毗乡组语壮余单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较单晶硅,多晶硅,非晶硅性能比较 冈圃概兽柯骋辣趴聋反送趋靴队丫猪湿沼求邱