模拟电路课件第章.pptVIP

模拟电子电路 模拟电子技术 电子科学与工程学院 黄丽亚 考试成绩评定 平时 10% 期中 20% 期末 70% 1-1-2 杂质半导体（掺杂半导体） 在本征半导体中掺入微量的元素（称为杂质），会使其导电性能发生显著变化。————杂质半导体。 根据掺入杂质的不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体。 一、N型半导体 三、杂质半导体的载流子浓度 多子的浓度 在杂质半导体中，杂质原子所提供的多子数远大于本征激发的载流子数。 结论：多子的浓度主要由掺杂浓度决定。 小结 1.本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，另一种载流子少。 2.多子浓度主要取决于杂质的含量，它与温度几乎无关；少子的浓度则主要与本征激发有关，因而它的浓度与温度有十分密切的关系。 1-2 PN结 PN结是半导体器件的核心，可以构成一个二极管。 PN结加正向电压 外加的正向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。 内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响。 PN结呈现低阻性，有较大的正偏电流。 PN结加反向电压 外加的反向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。 内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电