微电子器件第八章噪声特性方案.pptVIP

第八章 噪声特性 8.1 晶体管的噪声和噪声系数 8.2 晶体管的噪声源 8.3 p-n结二极管的噪声 8.4 双极型晶体管的噪声特性 8.5 JFET与MESFET的噪声特性 8.6 MOSFET的噪声特性 * * 一、信噪比 二、噪声系数 §8.1 晶体管的噪声和噪声系数 信号，噪声 噪声限制了晶体管放大微弱信号的能力。 噪声叠加在不同的信号上将产生不同程度的影响 为了衡量噪声对信号影响程度而定义信噪比 晶体管本身产生噪声，因此其工作时，输入、输出端信噪比不同。定义噪声系数反映晶体管本身产生噪声的大小。 噪声系数可看作： 单位功率增益下，晶体管噪声功率的放大系数。即晶体管无功率放大作用时，噪声功率增大的倍数， 总输出噪声功率与被放大的信号源噪声功率之比。 噪声系数越接近于1，晶体管噪声水平越低 噪声系数也可用分贝表示 晶体管自身噪声相当大。例3AG47, NF6db, F=4 输出噪声功率中75%来自于晶体管本身。 §8.2 晶体管的噪声源 一、热噪声(Thermal noise) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 载流子的无规则热运动叠加在规则的运动上形成热噪声 也称约翰逊噪声(Johnson noise) 任何电子元件均有热噪声 热噪声与温度有关——温度升高，热运动加