微电子器件第三章双极型晶体管的频率特性方案.pptVIP

第三章 双极型晶体管的频率特性 §3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数 §3.2 晶体管的交流特性分析 §3.3 晶体管的高频参数及等效电路 §3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数 §3.5 晶体管电流放大系数的频率关系 §3.6 晶体管的高频功率增益 §3.7 工作条件对晶体管fT、KPm的影响 § 3.3 晶体管的高频参数及等效电路 晶体管高频参数是高频特性方程组中的一组参数 一方面，将晶体管的结构参数与四端网络的特性参数相联系 另一方面，通过等效电路反映晶体管内部结构与外电路的关系，使晶体管的CAD及计算机模拟得以实现 目的：高频下晶体管电流放大系数随工作频率变化的物理实质（关系） 方法：利用晶体管的等效电路，逐步分析载流子的运动过程（中间参数） 实质：RC回路对高频信号产生延迟和相移（电容的分流作用） 集电结势垒延迟时间等于载流子穿越空间电荷区所需延迟时间的一半 集电极电流并不是渡越势垒的载流子到达集电极“极板”才产生的，当载流子还在穿越空间电荷区的过程中，就在集电极产生了感应电流 集电极电流是空间电荷区内运动的载流子在集电极所产生的感应电流的平均表现 当信号波长远大于势垒区宽度时，所得结果才成立 交变电流流过集电结势垒区引起其中电荷密度的变化 交变电流流过集电区在串联电阻上产生压降引起集电结势垒电容上电压交变 两者都通过集电结势垒电容的充放电对输出电流分流并产