锡须检测与判定标准.pptVIP

目 錄錫須的定義及危害錫須的形成機理錫須的預防措施錫須測試的方法錫須測試的標准案例分析錫須測試的儀器_SEM簡單介紹錫須定義及危害 定義：锡须是从元器件和接头的锡镀层表面生长出来的一種細長形狀的錫單晶，直徑0.3-10um(典型1-3um)，長度在1-1000um不等，錫須有不同的形狀，如針狀，小丘狀，柱狀，花狀，發散狀等，見圖1 危害：如果这些导电的锡须长得太长的话，可能连到其他线路上，并导致电气短路，斷裂後落在某些移動及光學器件中引起這些器件的機械損害，如處於相鄰導體之間可能產生弧光放電，燒壞電氣元件等由於錫須通常在電鍍之後幾年甚至幾十年才開始生長，因而會對產品的可靠性造成潛自在的危害比較大 圖1 錫須的各種形狀 圖2 Non-whisker 錫須形成機理 錫須產生的原因錫與銅之間相互擴散，形成金屬間化合物(IMC),致使 錫層內應力迅速增長，導致錫原子沿著晶體邊界進行擴散，產生錫須電鍍之後鍍層的殘余應力，導致錫須的生長機械應力：沖壓，冷卻，加工造成基底初使應力，外在的機械負載(固定件的扭轉)和震動沖擊產生應力化學應力：電鍍化學物質(如有機添加劑，光亮劑)可能增加鍍層殘余應力熱應力 ： 鍍層與基體之間熱膨脹系數不匹配生长机理 預防措施 不要使用亮錫，最好使用霧錫霧錫與亮錫的比較：a.有機物或碳含量較亮錫少的多(亮錫約為霧錫的X20-100)b. 微晶顆粒較