第6章多晶硅的铸造详解.pptVIP

直熔法生长的铸造多晶硅的质量较好，它可以通过控制垂直方向的温度梯度，使固液界面尽量平直，有利于生长取向性较好的柱状多晶硅晶锭。而且，这种技术所需的人工少，晶体生长过程易控制、易自动化，而且晶体生长完成后，一直保持在高温，对多晶硅晶体进行了“原位”热处理，导致体内热应力的降低，最终使晶体内的位错密度降低。 相较浇铸法，直熔法的的一些优势 利用定向凝固技术生长的铸造多晶硅，生长速度慢，坩埚是消耗件，不能重复循环使用，即每一炉多晶硅需要一只坩埚；而且，在晶锭底部和上部，各有几厘米厚的区域由于质量低而不能应用。 为了克服这些缺点，电磁感应冷坩埚连续拉晶法（electromagnetic continuous pulling）已经被开发，简称EMC或EMCP法。 是利用电磁感应的冷坩埚来熔化硅原料。 电磁感应冷坩埚连续拉晶法原理： ① 这种技术熔化和凝固可以在不同部位同时进行，节约生产时间；而且，熔体和坩埚不直接接触，既没有坩埚消耗，降低成本，又减少了杂质污染程度，特别是氧浓度和金属杂质浓度有可能大幅度降低。 ② 该技术还可以连续浇铸，速度可达 5mm/min。由于电磁力对硅熔体的作用，使得掺杂剂在硅熔体中的分布可能更均匀。 电磁感应冷坩埚连续拉晶法的优点 显然，这是一种很有前途的铸造多晶硅技术。 目前，利用该技术制备的铸造多晶硅硅锭可达35mm×35mm×300mm，电池转换效率可达15-17%。 该技术需要进一步改善晶体制备技术和材料质量，才能使得这种技术在工业界得到广泛应用。 电磁感应冷坩埚连续拉晶法的缺点 制备出的铸造多晶硅的晶粒比较细小，约为3-5mm，而且晶粒大小不均匀。 该技术的固液界面是严重的凹形，会引入较多的晶体缺陷。因此，这种技术制备的铸造多晶硅的少数载流子寿命较低，所制备的太阳电池的效率也较低。 1 铸造多晶硅的原材料 铸造多晶硅的原材料 微电子工业应单晶硅生产的剩余料 半导体级的高纯多晶硅 微电子工业应单晶硅生产的剩余料 质量相对较差的高纯多晶硅 单晶硅棒的头尾料 单晶硅生长完成后剩余在石英坩埚中的硅底料 与直拉、区熔晶体硅生长方法相比，铸造方法对硅原料的不纯具有更大的容忍度，所以铸造多晶硅的原料更多地使用电子工业的剩余料，从而使得原料的来源可以更广，价格可以更便宜； 在多晶硅片制备过程中剩余的硅材料还可以重复利用。有研究表明，只要原料中剩余料的比例不超过40%，就可以生长出合格的铸造多晶硅。 1 铸造多晶硅的原材料 在铸造多晶硅制备过程中，可以利用方形的高纯石墨作为坩埚，也可以利用高纯石英作为坩埚。 高纯石墨的成本比较便宜，但是有较多可能的碳污染和金属污染；高纯石英的成本较高，但污染少，要制备优质的铸造多晶硅就必须利用石英坩埚。 2 坩埚 ① 在制备铸造多晶硅时，原材料熔化、晶体硅结晶过程中，硅熔体和石英坩埚长时间接触，会产生黏滞作用。由于两者的热膨胀系数不同，在晶体冷却时很可能造成晶体硅或石英坩埚破裂。 ② 由于硅熔体和石英坩埚长时间接触，与制备直拉单晶硅时一样，会造成石英坩埚的腐蚀，使得多晶硅中的氧浓度升高。 石英坩埚的存在的问题 2 坩埚 工艺上一般利用Si3N4或SiO/SiN等材料作为涂层，附加在石英坩埚的内壁。 解决石英坩埚问题的方法 2 坩埚 涂层的作用 ① 隔离了硅熔体和石英坩埚的直接接触，不仅能解决黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧、碳杂质浓度。 ② 利用Si3N4涂层，还使得石英坩埚可能得到重复使用，达到降低生产成本的目的。 2 坩埚 直熔法制备铸造多晶硅的具体工艺如下： 装料 加热 化料 晶体生长 退火 冷却 3 晶体生长工艺 将装有涂层的石英坩埚放置在热交换台(冷去板)上，放入适量的硅原料，然后安装加热设备，隔热设备和炉罩，将炉内抽真空，使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氩气作为保护气体，是炉内压力基本保持在400-600mbar左右。 3 晶体生长工艺 实现多晶硅定向凝固生长的四种方法： 1、布里曼法 2、热交换法 3、电磁铸锭法 4、浇铸法 1、布里曼法（Bridgeman Method） 这是一种经典的较早的定向凝固方法。 特点： ⑴坩埚和热源在凝固开始时作相对位移，分液相区和凝固区，液相区和凝固区用隔热板隔开。 ⑵液固界面交界处的温度梯度必须0，即dT/dx0，温度梯度接近于常数。 1、布里曼法（Bridgeman Method） ⑶长晶速度受工作台下移速度及冷却水流量控制，长晶速度