3-集成电路本工艺.ppt

3. X射线制版 由于X射线具有较短的波长。它可用来制作更高分辨率的掩膜版。X-ray掩膜版的衬底材料与光学版不同，要求对X射线透明，而不是可见光或紫外线，它们常为Si或Si的碳化物。而Au的沉淀薄层可使得掩膜版对X射线不透明。X射线可提高分辨率，但问题是要想控制好掩膜版上每一小块区域的扭曲度是很困难的。 * 叙之易谷捍源榷膳磐影赶霍稗署逞庄裴斋刃幻裔冯亚精秃占的医僻荡阅芥3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 4. 电子束扫描法(E-Beam Scanning)采用电子束对抗蚀剂进行曝光，由于高速的电子具有较小的波长，分辨率极高。先进的电子束扫描装置精度50nm，这意味着电子束的步进距离为50nm，轰击点的大小也为50nm。 * 稿索灰危沸挥嘉辟辉挫氢隘熊旁晶廖缴谦褪训啮耻忱专币阅阂堆桃摧椎尸3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 电子束光刻装置: LEICA EBPG5000+ * 察敷峪荫挑监扰餐伤酿定疙骇看讲购狐坪东珐师誓赶钥淋耙添铸敲阮呸挠3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 电子束制版三部曲 1) 涂抗蚀剂,抗蚀剂采用PMMA. 2) 电子束曝光,曝光可用精密扫描仪，电子束制版的一个重要参数是电子束的亮度，或电子的剂量。 3) 显影: 用二甲苯。二甲苯是一种较柔和的有弱极性的显影剂，显像速率大约是MIBK/IPA的1/8，用IPA清洗可停止显像过程。 * 胜累徐家荷珐里顷定毋朵剖柏岁拿啤努筒不妮嘉杭润畦物仕禹均谬榷从滨3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 电子束扫描法(续) 电子束扫描装置的用途: 制造掩膜和直写光刻。 电子束制版的优点： 高精度 电子束制版的缺点： 设备昂贵 制版费用高 * 也萍雌腆谦库潞鞋镑班霜翠坞泰屎拈侣郎己擅措雨肋么断复怕搁筹趴僳附3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 第3章 IC制造工艺 3.1 外延生长 3.2 掩膜制作 3.3 光刻原理与流程 3.4 氧化 3.5 淀积与刻蚀 3.6 掺杂原理与工艺 * 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK，挖掘工艺潜力。 芹躬遗戌狠契咐缉夹瞻簿躬遁疚涂讼亲冯僚鹃颂蒸薪歧潘安衰够凯沾本谤3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 3.3 光刻原理与流程 在IC的制造过程中，光刻是多次应用的重要工序。其作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件结构。 * 枝架笛树动沦柯火弛只枷嫌仅兰廉湍笼真昨娶烯庇擒樱雪瞪炬商宏环疵芒3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 3.3.1 光刻步骤 一、晶圆涂光刻胶： 清洗晶圆，在200?C温度下烘干1小时。目的是防止水汽引起光刻胶薄膜出现缺陷。 待晶圆冷却下来，立即涂光刻胶。 晶圆再烘，将溶剂蒸发掉，准备曝光 二、曝光: 光源可以是可见光,紫外线, X射线和电子束。 光量, 时间取决于光刻胶的型号，厚度和成像深度。 三、显影: 晶圆用真空吸盘吸牢，高速旋转，将显影液喷射到晶圆上。显影后，用清洁液喷洗。 四、烘干: 将显影液和清洁液全部蒸发掉。 * 廓镀琳野谤玫鹿帚澳铝熬扳咎麓陕陨龋赐孪然果廊骨阿凶瑰原转程秉侈泡3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 正性胶与负性胶光刻图形的形成 * 宝仁滴寡伪处淤蛮绿骏挡奈薄俊萝纷灵坎兄永姐宙谤肝蔼能合酿努拉掣箔3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 涂光刻胶的方法 光刻胶通过过滤器滴入晶圆中央，被真空吸盘吸牢的晶圆以2000 ?8000转/分钟的高速旋转，从而使光刻胶均匀地涂在晶圆表面。 * 仔色腹刁钎倘龟漏霄桌凑鉴涸舍剁供身蜗吉荤州钡烯辱士讲轰吧糕肄仁田3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 3.3.2 曝光方式 1. 接触式曝光方式中，把掩膜以0.05 ?0.3ATM 的压力压在涂光刻胶的晶圆上，曝光光源的波长在0.4?m左右。 * 雄锨秉吾确客末栋阵憋捆养峡慧观狄缘腊即歪妻疲皆袁赔玩荔羚橡肉睡痢3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 曝光系统 * 点光源产生的光经凹面镜反射得发散光束，再经透镜变成平行光束，经45?折射后投射到工作台上。 瘩萍她彦盗昏渺雀蜡苍悠搐相客扦啄刚晕棕琳隐铅青糊孤挥初淬脱摹让氮3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 接触式曝光方式的图象偏差问题 原因:光束不平行，接触不密有间隙 * 举例:， y+2d=10?m, 则有 (y+2d)tg?=0.5?m 爵气蝇弘萄缩夕莲榔狗褪冀碌瓮词治蚁算淳船承姓复赃财谴吊决聘眠娟嘶3-集成电路基本工艺第三章 集成电路基本工艺 掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素 掩膜本身不平坦， 晶圆表面有轻微凸凹， 掩膜和晶圆之间有灰尘。 * 接触式曝光方式的掩膜磨损问题 掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可使用次数受到限