08章-III-V族多元合物半导体.pptVIP

(3)阱层厚度的控制。在一定生长条件下，外延层的厚度等于生长速率与时间和乘积。生长速率通常是由微米级外延层生长求得的，实验表明，这个生长速率也适用于极薄层的厚度控制。尽管有的实验结果显示出在连续生长一系列不同阱层厚度材料时，在生长每个阱的初期，生长速率有一个超过正常体材料生长速率3～4倍的速率极大值，然后才能稳定到正常值。但目前人们在实际生长中仍然采用在固定生长条件下，严格控制生长时间的方法，来控制厚度。 (4)超晶格结构的界面应该是平直光滑的，界面平直光滑与否和生长时晶体成核机制、衬底质量及生长中断方式有关。衬底应高度平整、光洁，生长时应控制在层状生长，防止岛状生长并且采用合适中断生长工艺，以防止界面处组分的互掺等。界面的特性可利用PL谱和X射线双晶衍射技术来研究。 掺杂超晶格 在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料。 优点: (1)任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格。 (2)多层结构的完整性非常好，由于掺杂量一般较小，所以杂质引起的晶格畸变也较小。因此，掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的异质界面。 (3) 掺杂超晶格的有效能隙可以具有从零到未调制的基体材料能量隙之间的任何值，取决于对各分层厚度和掺杂浓度的选择。 掺杂超晶格 利用电离杂质中心产生的静电势在晶体中形成周期性变化的势，例如n-i-n-