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集成电路工艺原理 二、对衬底材料的要求 导电类型：N型与P型都易制备； 电阻率：0.01-105?·cm，均匀性好（纵向、横向、微区）、可靠性高（稳定、真实）； 寿命（少数载流子）：晶体管—长寿命； 开关器件—短寿命； 晶格完整性：低位错（1000个/cm2）； 纯度高：电子级硅（EGS） --1/109杂质； 晶向：Si:双极器件--111；MOS--100； 直径、平整度、禁带宽度、迁移率等。 Si： 含量丰富，占地壳重量25%； 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm） 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料； 易于实现平面工艺技术； Ge： 漏电流大，禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.1eV)； 工作温度低，75℃（Si:150℃）； GeO2易水解（SiO2稳定）； 本征电阻率低：47 ?·cm（Si: 2.3x105 ?·cm）； 成本高。 三、起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2） SiO2+SiC→Si(s)+SiO(g)+CO(g), 冶金级硅：98%； Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2，三氯硅烷室温下呈液态沸点为32℃，利用分馏法去除杂质； SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g)，